请教一个电流取样问题

如图，请问能不能利用场管导通内阻作为电流取样电阻呢？就是从图中A、B两点取样。谢谢！

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luoyan1980

LV.8

2014-03-19 20:08

可以，但不是很准，因为温度不同，MOS内阻会变。

SKY丶辉煌

LV.10

2014-03-19 20:25

@luoyan1980

可以，但不是很准，因为温度不同，MOS内阻会变。

楼上正解，MOSFET的Ron一般几个毫欧姆，如果是0.01欧，那么100A的电流才一伏而已。100A的电流吓人啊

山东大汉

LV.10

2014-03-19 20:32

@SKY丶辉煌

楼上正解，MOSFET的Ron一般几个毫欧姆，如果是0.01欧，那么100A的电流才一伏而已。100A的电流吓人啊

可以，但要防止电流过大

hao2985

LV.9

2014-03-19 20:35

因为温度不同，MOS内阻会变

zhang_min9861

LV.6

2014-03-20 11:01

MOS内阻随温度变化比较大的，关键是厂家标的内阻典型值也是有误差的，因为厂家测试的是标准品，不可能每个管子都测内阻的！为什么不直接用毫欧电阻取样呢？价格也不高啊！

jianyedin

LV.9

2014-03-20 11:17

@zhang_min9861

你讲的很对！

luoyan1980

LV.8

2014-03-20 11:30

@hao2985

因为温度不同，MOS内阻会变

是的，内阻会随温度变化而变化。

luoyan1980

LV.8

2014-03-20 11:31

@山东大汉

可以，但要防止电流过大

所以OCP范围漂移比较大。

luoyan1980

LV.8

2014-03-20 11:32

@zhang_min9861

如是要精准的OCP就要用锰铜来做sense检测。

SKY丶辉煌

LV.10

2014-03-20 12:43

@zhang_min9861

行家

hao2985

LV.9

2014-03-20 13:45

防止电流过大

Constance

LV.11

2014-03-22 16:40

内阻会变，无法保证精度！

方舟134340

LV.3

2014-03-22 22:18

完全可以，看看IR刚出的这款IC，不要被传统思维限制

ir25750lpbf.pdf

45280

LV.4

2014-03-23 16:31

@方舟134340

完全可以，看看IR刚出的这款IC，不要被传统思维限制ir25750lpbf.pdf

我就用这种方法采样的，除非你要求精度很高，不然的话这样绝对没什么问题；

至于温漂，反接场管是常通的，没有开关损耗一般不会发热，或者不是很热；

再就是内阻小的问题，比如4毫欧的场管，过50安的电流才0.2伏；

解决方法很简单，用运放放大就可以了；

zhang_min9861

LV.6

2014-03-26 11:03

@45280

我就用这种方法采样的，除非你要求精度很高，不然的话这样绝对没什么问题；至于温漂，反接场管是常通的，没有开关损耗一般不会发热，或者不是很热；再就是内阻小的问题，比如4毫欧的场管，过50安的电流才0.2伏；解决方法很简单，用运放放大就可以了；

你过50A的电流，4毫欧的内阻，单管发热10W，你不加散热措施？10W管子已经很热了，没有温漂组织变化？

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