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请教一个电流取样问题

如图，请问能不能利用场管导通内阻作为电流取样电阻呢？就是从图中A、B两点取样。谢谢！

 

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luoyan1980
LV.8
2
2014-03-19 20:08
可以，但不是很准，因为温度不同，MOS内阻会变。
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SKY丶辉煌
LV.10
3
2014-03-19 20:25
@luoyan1980
可以，但不是很准，因为温度不同，MOS内阻会变。
楼上正解，MOSFET的Ron一般几个毫欧姆，如果是0.01欧，那么100A的电流才一伏而已。100A的电流吓人啊
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山东大汉
LV.10
4
2014-03-19 20:32
@SKY丶辉煌
楼上正解，MOSFET的Ron一般几个毫欧姆，如果是0.01欧，那么100A的电流才一伏而已。100A的电流吓人啊
可以，但要防止电流过大
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hao2985
LV.9
5
2014-03-19 20:35
因为温度不同，MOS内阻会变
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zhang_min9861
LV.6
6
2014-03-20 11:01
MOS内阻随温度变化比较大的，关键是厂家标的内阻典型值也是有误差的，因为厂家测试的是标准品，不可能每个管子都测内阻的！为什么不直接用毫欧电阻取样呢？价格也不高啊！
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jianyedin
LV.9
7
2014-03-20 11:17
@zhang_min9861
MOS内阻随温度变化比较大的，关键是厂家标的内阻典型值也是有误差的，因为厂家测试的是标准品，不可能每个管子都测内阻的！为什么不直接用毫欧电阻取样呢？价格也不高啊！
你讲的很对！
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luoyan1980
LV.8
8
2014-03-20 11:30
@hao2985
因为温度不同，MOS内阻会变

是的，内阻会随温度变化而变化。

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luoyan1980
LV.8
9
2014-03-20 11:31
@山东大汉
可以，但要防止电流过大
所以OCP范围漂移比较大。
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luoyan1980
LV.8
10
2014-03-20 11:32
@zhang_min9861
MOS内阻随温度变化比较大的，关键是厂家标的内阻典型值也是有误差的，因为厂家测试的是标准品，不可能每个管子都测内阻的！为什么不直接用毫欧电阻取样呢？价格也不高啊！
如是要精准的OCP就要用锰铜来做sense检测。
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SKY丶辉煌
LV.10
11
2014-03-20 12:43
@zhang_min9861
MOS内阻随温度变化比较大的，关键是厂家标的内阻典型值也是有误差的，因为厂家测试的是标准品，不可能每个管子都测内阻的！为什么不直接用毫欧电阻取样呢？价格也不高啊！
行家
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hao2985
LV.9
12
2014-03-20 13:45
防止电流过大
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Constance
LV.11
13
2014-03-22 16:40
内阻会变，无法保证精度！
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方舟134340
LV.3
14
2014-03-22 22:18

完全可以，看看IR刚出的这款IC，不要被传统思维限制

ir25750lpbf.pdf

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45280
LV.4
15
2014-03-23 16:31
@方舟134340
完全可以，看看IR刚出的这款IC，不要被传统思维限制ir25750lpbf.pdf

我就用这种方法采样的，除非你要求精度很高，不然的话这样绝对没什么问题；

至于温漂，反接场管是常通的，没有开关损耗一般不会发热，或者不是很热；

再就是内阻小的问题，比如4毫欧的场管，过50安的电流才0.2伏；

解决方法很简单，用运放放大就可以了；

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zhang_min9861
LV.6
16
2014-03-26 11:03
@45280
我就用这种方法采样的，除非你要求精度很高，不然的话这样绝对没什么问题；至于温漂，反接场管是常通的，没有开关损耗一般不会发热，或者不是很热；再就是内阻小的问题，比如4毫欧的场管，过50安的电流才0.2伏；解决方法很简单，用运放放大就可以了；

你过50A的电流，4毫欧的内阻，单管发热10W，你不加散热措施？10W管子已经很热了，没有温漂组织变化？

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