高压大功率线要注意绝缘距离,走线越短越好。
信号部分的地与功率部分地分别布局后再各自接IC的GND(对仅有单一GND端子的 IC)。
跨过隔离边界的放大器走线要尽量比较近,TL431尽量与光耦贴近,光电三极管尽量与IC放大器贴近。
反馈电阻取样的上端在输出电压≧10V或连线较远时加RC吸收网络。
吸收回路元件尽量靠近所吸收的元件。
使用何种IC时要充分熟悉IC 的数据表给出的Layout注意事项。
在仅有1Pin为GND时,补偿网络的连线要单独接GND及Rt,Ct与VREF旁路电容接在一起后接地,功率输出级单独接地。
我正在划一款产品PCB,使用IC为champion的CM6800,要注意那些地方?
PFC与PWM部分的GND分别在外部各自接好后,再接到GND(10pin),其GND最好不用阴板(即布满铜萡)方式,而采用星状接法。
PFC部分的IAC,I-Sense,VRMS等的GND接在一处。
PFC的电流放大器的IEAO到VREF的补偿网络走线要昼量近,且不要与强功率部分贴近。
PWM部分的VDC要防干扰其可与SS接地,RAMP1,RAMP2部分一起接地,VDC与光耦的距离要越短越好。
PWM部分的ILIMT要独立接地。
Vcc旁路电容以3颗为准要紧靠VCC和GND两端子。
VREF旁路电容也要尽量靠近端子及要连接的IEAO网络。
PFC输出与PWM输出,两线保持一定距离,且离开放大器的补偿网络。