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台系场效应MOS管原厂 免费支持研发样品测试!!!

 

司坦森集成电路是一家台系、专业场效应MOSFET设计开发生产商

全系列的SOP-8,SOT-23,TO-252/251等封装MOSFET.

原厂供应。性价比优厚。

主推料号:

ST2300,ST2301,ST2302……ST2341…

ST3400,ST34013402….ST3413…

STP9435,STP4953STN4402,STN4412,STP4407,STN4526,STP9527…

STC4606,STN4828(专用inverter)

STP6635,STN454,STN442DSTN413,ST16N10,ST13P10ST36N10

STP3052。。。(TO-252/251)

……

原厂现货,诚招代理、分销商。欢迎来电垂询!

司坦森集成电路

Tel:15889558007  

QQ:595639271

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STANSON08
LV.5
2
2014-03-26 14:29

现我司隆重推出23封装的100V的MOS管

N 100V  2A/3A  ST1004SRG  ST1002  ST10E4

可免费提供样品测试!!!

联系人 贺生 13684977366

QQ  595639271

 

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STANSON08
LV.5
3
2014-03-27 14:25
@STANSON08
现我司隆重推出23封装的100V的MOS管N100V 2A/3A ST1004SRG ST1002 ST10E4可免费提供样品测试!!!联系人贺生13684977366QQ 595639271 
欢迎灌水!!!
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STANSON08
LV.5
4
2014-03-28 10:06
@STANSON08
欢迎灌水!!!
 

第一步:选用N沟道还是P沟道

为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOSFET。在典型的功率应用中,当一个MOSFET接地,而负载连接到干线电压上时,该MOSFET就构成了低压侧开关。在低压侧开关中,应采用N沟道MOSFET,这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOSFET连接到总线及负载接地时,就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOSFET,这也是出于对电压驱动的考虑。

要选择适合应用的器件,必须确定驱动器件所需的电压,以及在设计中最简易执行的方法。下一步是确定所需的额定电压,或者器件所能承受的最大电压。额定电压越大,器件的成本就越高。根据实践经验,额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护,使MOSFET不会失效。就选择MOSFET而言,必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压,即最大VDS。知道MOSFET能承受的最大电压会随温度而变化这点十分重要。设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围,确保电路不会失效。设计工程师需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备(如电机或变压器)诱发的电压瞬变。不同应用的额定电压也有所不同;通常,便携式设备为20VFPGA电源为2030V85220VAC应用为450600V

 

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STANSON08
LV.5
5
2014-04-08 11:08
@STANSON08
 第一步:选用N沟道还是P沟道为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOSFET。在典型的功率应用中,当一个MOSFET接地,而负载连接到干线电压上时,该MOSFET就构成了低压侧开关。在低压侧开关中,应采用N沟道MOSFET,这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOSFET连接到总线及负载接地时,就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOSFET,这也是出于对电压驱动的考虑。要选择适合应用的器件,必须确定驱动器件所需的电压,以及在设计中最简易执行的方法。下一步是确定所需的额定电压,或者器件所能承受的最大电压。额定电压越大,器件的成本就越高。根据实践经验,额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护,使MOSFET不会失效。就选择MOSFET而言,必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压,即最大VDS。知道MOSFET能承受的最大电压会随温度而变化这点十分重要。设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围,确保电路不会失效。设计工程师需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备(如电机或变压器)诱发的电压瞬变。不同应用的额定电压也有所不同;通常,便携式设备为20V、FPGA电源为20~30V、85~220VAC应用为450~600V。 
 

要选择适合应用的器件,必须确定驱动器件所需的电压,以及在设计中最简易执行的方法。下一步是确定所需的额定电压,或者器件所能承受的最大电压。额定电压越大,器件的成本就越高。根据实践经验,额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护,使MOSFET不会失效。就选择MOSFET而言,必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压,即最大VDS。知道MOSFET能承受的最大电压会随温度而变化这点十分重要。设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围,确保电路不会失效。设计工程师需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备(如电机或变压器)诱发的电压瞬变。不同应用的额定电压也有所不同;通常,便携式设备为20VFPGA电源为2030V85220VAC应用为450600V

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STANSON08
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6
2014-04-09 10:50
@STANSON08
 要选择适合应用的器件,必须确定驱动器件所需的电压,以及在设计中最简易执行的方法。下一步是确定所需的额定电压,或者器件所能承受的最大电压。额定电压越大,器件的成本就越高。根据实践经验,额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护,使MOSFET不会失效。就选择MOSFET而言,必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压,即最大VDS。知道MOSFET能承受的最大电压会随温度而变化这点十分重要。设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围,确保电路不会失效。设计工程师需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备(如电机或变压器)诱发的电压瞬变。不同应用的额定电压也有所不同;通常,便携式设备为20V、FPGA电源为20~30V、85~220VAC应用为450~600V。
电子技术培训待续。。。
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STANSON08
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7
2014-04-10 15:21

司坦森集成电路(STANSON TECHNOLOGY)是一家开发设计在美国,投片在台湾的专业开发生产MOSFET的半导体企业。产品广泛应用于LCD TV/Monitor,网络设备,手机,数码相机,对讲机,数码相框,GPS,便携式DVD,STB,INVERTER,电动马达等消费类电子领域.目前公司与中联数源(CEC),锐臻,康冠(KTC),深圳远峰,松奥科技,旭格科技,数字印数码科技,厦门蒙发利,惠州九联,惠科,香港毅力集团等客户都有很好的合作关系。

详情请联络 贺生 15889558007

QQ   595639271

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STANSON08
LV.5
8
2014-04-11 10:19
@STANSON08
司坦森集成电路(STANSONTECHNOLOGY)是一家开发设计在美国,投片在台湾的专业开发生产MOSFET的半导体企业。产品广泛应用于LCDTV/Monitor,网络设备,手机,数码相机,对讲机,数码相框,GPS,便携式DVD,STB,INVERTER,电动马达等消费类电子领域.目前公司与中联数源(CEC),锐臻,康冠(KTC),深圳远峰,松奥科技,旭格科技,数字印数码科技,厦门蒙发利,惠州九联,惠科,香港毅力集团等客户都有很好的合作关系。详情请联络贺生15889558007QQ  595639271
 

为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOSFET。在典型的功率应用中,当一个MOSFET接地,而负载连接到干线电压上时,该MOSFET就构成了低压侧开关。在低压侧开关中,应采用N沟道MOSFET,这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOSFET连接到总线及负载接地时,就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOSFET,这也是出于对电压驱动的考虑。

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STANSON08
LV.5
9
2014-04-14 10:36
@STANSON08
司坦森集成电路(STANSONTECHNOLOGY)是一家开发设计在美国,投片在台湾的专业开发生产MOSFET的半导体企业。产品广泛应用于LCDTV/Monitor,网络设备,手机,数码相机,对讲机,数码相框,GPS,便携式DVD,STB,INVERTER,电动马达等消费类电子领域.目前公司与中联数源(CEC),锐臻,康冠(KTC),深圳远峰,松奥科技,旭格科技,数字印数码科技,厦门蒙发利,惠州九联,惠科,香港毅力集团等客户都有很好的合作关系。详情请联络贺生15889558007QQ  595639271
有些冷清。。。
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STANSON08
LV.5
10
2014-04-15 10:05
@STANSON08
 为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOSFET。在典型的功率应用中,当一个MOSFET接地,而负载连接到干线电压上时,该MOSFET就构成了低压侧开关。在低压侧开关中,应采用N沟道MOSFET,这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOSFET连接到总线及负载接地时,就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOSFET,这也是出于对电压驱动的考虑。
 

选好额定电流后,还必须计算导通损耗。在实际情况下,MOSFET并不是理想的器件,因为在导电过程中会有电能损耗,这称之为导通损耗。MOSFET导通时就像一个可变电阻,由器件的RDS(ON)所确定,并随温度而显著变化。器件的功率耗损可由Iload2×RDS(ON)计算,由于导通电阻随温度变化,因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOSFET施加的电压VGS越高,RDS(ON)就会越小;反之RDS(ON)就会越高。对系统设计人员来说,这就是取决于系统电压而需要折中权衡的地方。对便携式设计来说,采用较低的电压比较容易(较为普遍),而对于工业设计,可采用较高的电压。注意RDS(ON)电阻会随着电流轻微上升。关于RDS(ON)电阻的各种电气参数变化可在制造商提供的技术资料表中查到。

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STANSON08
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2014-04-16 14:04
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STANSON08
LV.5
12
2014-04-17 16:38
也可拨打手机13684977366联络 贺生
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STANSON08
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2014-04-21 09:52
@STANSON08
**此帖已被管理员删除**
电子业的旺季即将来临。。。
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2014-04-21 10:17
@STANSON08
也可拨打手机13684977366联络贺生
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STANSON08
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15
2014-04-22 10:46
@紫色的月妖姬
[图片]
你是做哪一行的呢?
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2014-04-22 12:11
@STANSON08
现我司隆重推出23封装的100V的MOS管N100V 2A/3A ST1004SRG ST1002 ST10E4可免费提供样品测试!!!联系人贺生13684977366QQ 595639271 
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STANSON08
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2014-04-23 15:39
@STANSON08
现我司隆重推出23封装的100V的MOS管N100V 2A/3A ST1004SRG ST1002 ST10E4可免费提供样品测试!!!联系人贺生13684977366QQ 595639271 
本司长期诚招代理分销商!!
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STANSON08
LV.5
18
2014-04-24 14:01
@STANSON08
 选好额定电流后,还必须计算导通损耗。在实际情况下,MOSFET并不是理想的器件,因为在导电过程中会有电能损耗,这称之为导通损耗。MOSFET在“导通”时就像一个可变电阻,由器件的RDS(ON)所确定,并随温度而显著变化。器件的功率耗损可由Iload2×RDS(ON)计算,由于导通电阻随温度变化,因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOSFET施加的电压VGS越高,RDS(ON)就会越小;反之RDS(ON)就会越高。对系统设计人员来说,这就是取决于系统电压而需要折中权衡的地方。对便携式设计来说,采用较低的电压比较容易(较为普遍),而对于工业设计,可采用较高的电压。注意RDS(ON)电阻会随着电流轻微上升。关于RDS(ON)电阻的各种电气参数变化可在制造商提供的技术资料表中查到。
培训续: 

技术对器件的特性有着重大影响,因为有些技术在提高最大VDS时往往会使RDS(ON)增大。对于这样的技术,如果打算降低VDSRDS(ON),那么就得增加晶片尺寸,从而增加与之配套的封装尺寸及相关的开发成本。业界现有好几种试图控制晶片尺寸增加的技术,其中最主要的是沟道和电荷平衡技术。

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STANSON08
LV.5
19
2014-04-25 10:14
@STANSON08
你是做哪一行的呢?
 

在沟道技术中,晶片中嵌入了一个深沟,通常是为低电压预留的,用于降低导通电阻RDS(ON)。为了减少最大VDSRDS(ON)的影响,开发过程中采用了外延生长柱/蚀刻柱工艺。例如,飞兆半导体开发了称为SuperFET的技术,针对RDS(ON)的降低而增加了额外的制造步骤。这种对RDS(ON)的关注十分重要,因为当标准MOSFET的击穿电压升高时,RDS(ON)会随之呈指数级增加,并且导致晶片尺寸增大。SuperFET工艺将RDS(ON)与晶片尺寸间的指数关系变成了线性关系。这样,SuperFET器件便可在小晶片尺寸,甚至在击穿电压达到600V的情况下,实现理想的低RDS(ON)。结果是晶片尺寸可减小达35%。而对于最终用户来说,这意味着封装尺寸的大幅减小。

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STANSON08
LV.5
20
2014-04-28 10:57

五一效应来了。。。

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STANSON08
LV.5
21
2014-04-29 09:41
 

技术对器件的特性有着重大影响,因为有些技术在提高最大VDS时往往会使RDS(ON)增大。对于这样的技术,如果打算降低VDSRDS(ON),那么就得增加晶片尺寸,从而增加与之配套的封装尺寸及相关的开发成本。业界现有好几种试图控制晶片尺寸增加的技术,其中最主要的是沟道和电荷平衡技术。

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STANSON08
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22
2014-04-30 09:50
@STANSON08
 第一步:选用N沟道还是P沟道为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOSFET。在典型的功率应用中,当一个MOSFET接地,而负载连接到干线电压上时,该MOSFET就构成了低压侧开关。在低压侧开关中,应采用N沟道MOSFET,这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOSFET连接到总线及负载接地时,就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOSFET,这也是出于对电压驱动的考虑。要选择适合应用的器件,必须确定驱动器件所需的电压,以及在设计中最简易执行的方法。下一步是确定所需的额定电压,或者器件所能承受的最大电压。额定电压越大,器件的成本就越高。根据实践经验,额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护,使MOSFET不会失效。就选择MOSFET而言,必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压,即最大VDS。知道MOSFET能承受的最大电压会随温度而变化这点十分重要。设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围,确保电路不会失效。设计工程师需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备(如电机或变压器)诱发的电压瞬变。不同应用的额定电压也有所不同;通常,便携式设备为20V、FPGA电源为20~30V、85~220VAC应用为450~600V。 
谁有三合一电源的相关方案?
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STANSON08
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23
2014-05-04 09:55
@紫色的月妖姬
[图片]
雁过留声撒!
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STANSON08
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24
2014-05-05 10:13
@STANSON08
现我司隆重推出23封装的100V的MOS管N100V 2A/3A ST1004SRG ST1002 ST10E4可免费提供样品测试!!!联系人贺生13684977366QQ 595639271 
现在出口欧美的电子料一般要SGS还是ROHS认证的多呢?
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2014-05-05 22:22
@STANSON08
欢迎灌水!!!
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STANSON08
LV.5
26
2014-05-07 10:26
免费测样品,包邮哦!
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STANSON08
LV.5
27
2014-05-09 10:58
@雅创威刘顺练
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没见过呢
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STANSON08
LV.5
28
2014-05-12 09:51
@雅创威刘顺练
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深圳---东方威尼斯
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STANSON08
LV.5
29
2014-05-15 15:26
@雅创威刘顺练
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为何要清仓处理呢?
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STANSON08
LV.5
30
2014-05-16 10:16
文博会,你去了吗?
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STANSON08
LV.5
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2014-05-20 16:30

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