3843芯片用在buck电路上，最大功率能做到1300W吗？

外接图腾，心有多高功率就有多大

用的是光耦隔离，然后用驱动芯片73711驱动，MOS管很热（120℃以上）！

您看，这样能做吗？MOS管就用了一个，很大的散热片，但是散热片本身不热，MOS管发热太快，散不去

给出具体条件和电路，大家才能分析原因啊。。。

能上网的电脑上传不了电路图，我画了一个示意图，大概就是这个样子

测试GS和DS波形，放上来看看。

MOS的导通电阻有多大？

Rds=0.7mΩ

您的意思是驱动能力不够导致交越损耗太大吗？可是这种驱动芯片的驱动能力是固定的，怎么加强呢？

如果MOS足够好，那就是驱动的问题。

这个只有通过波形测试才好分析。

可能是MOS的Rdson方面的功耗大。

哥们你还真敢玩。这么小的占空比，这么大的输出电流。个人觉得这样很难做的理想。

那您的意思只能是换MOS了？

请问：如果输出电感设计不合理，比如在高负载的时候接近饱和了，会不会导致MOS管很热？

讨论的前提当然是电感不饱和啊，波形还没上呢，那MOS什么型号的？

mos是IRRFP4668

续流二极管压力山大，你只有20%占空比，续流二极管要承担80%的时间，然后二极管发热，mos也发热，建议你还是做成同步降压拓扑吧。

同意，心有多高，就可以有多大

3843可以做1200W我就知道。1300就不知道了。

我也想用这种结构设计个输入DC350V,输出200V，20A的 DC/DC 降压电路，请问这种结构合适吗？

MOS管在前端的，一般都浮地。你把芯片做成实地，然后用光耦隔离，不知道你是几个意思，既然你已经芯片实地了，干嘛不把MOS管放在后端。

IRFP4668的Rds=8mΩ，不是0.7mΩ。而且在管芯温度120℃时，Rds=17.6mΩ。

如此算来，MOS管的导通损耗约13W

再加上开关损耗，MOS管的总损耗一定大于15W，一个247封装的管子，大于15W的发热，如果散热器与管子之间垫有绝缘物，绝缘片的导热不良好的话，管子与散热器的温差就会很大。

普通绝缘软垫片的导热是很不好的，此处必须用陶瓷片做绝缘垫片。

还有，续流二极管应该用肖特基，如果用超快二极管，也会对MOS管的发热产生不良影响。

做多大功率，与芯片的型号没有直接的关系，不用说1300W没有问题，13000W也绝对没有问题。

输入72V输出12v50A怎么样呢