如上图所示：输入V1经R2,R3分压，TL431导通截止控制Pmos管。设定低于10V时关断PMOS.
Multisim中仿真效果很好，但是实际电路却又很长一段的延迟区（10V-8V输入，输出由Vin慢慢下降到0V，不是立即就关断）
，到8V左右，TL431分压2.0V才能完全关断。请教论坛高手支个招：怎样才能缩小延迟区，快速关断？
另外我单独测了一下431，ref段电压下降到2.4V左右时漏电流就非常小了，可以认为完全关断。为什么并联到电路
中要到2.0V左右才能完全关断？求指点…………
如上图所示：输入V1经R2,R3分压，TL431导通截止控制Pmos管。设定低于10V时关断PMOS.
Multisim中仿真效果很好，但是实际电路却又很长一段的延迟区（10V-8V输入，输出由Vin慢慢下降到0V，不是立即就关断）
，到8V左右，TL431分压2.0V才能完全关断。请教论坛高手支个招：怎样才能缩小延迟区，快速关断？
另外我单独测了一下431，ref段电压下降到2.4V左右时漏电流就非常小了，可以认为完全关断。为什么并联到电路
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