IGBT的驱动参数
1， IGBT的驱动关键参数：
•门级电压：
•门级电容：
•开通电阻：
•关断电阻：
•系统杂散电感：
后面是Infineon的说明
2， 门级电压影响：
•门级电压：最大允许正负20V，一般是开通+15V，关断-9V。这样刚好实用一个24V的电源和TVS管即可实现。
•开通门级电压增加：IGBT导通的饱和压降降低，IGBT开通时间也会缩短，降低开通损耗和导通损耗。但是，IGBT的短路电流随之也会增加，增加风险。
•关断门级负压增加：同样关断时间和关断损耗会缩小。但是，Di/Dt增加，也会增加风险。
3， 门级电阻和驱动电流、驱动功率：
•门级电阻包括外部电阻Rg和IGBT内阻Ri。Rg=Re+Ri。
•门级电阻增大：开通和关断电流减小，增加了开通和关断的时间，增加了功率上损耗。但是，感应浪涌电压减少，有利于IGBT的保护。Dv/Dt误触发也不容易发生。
•开断电阻：IGBT关断时，由于负载时感性的，Di/Dt的变化，会产生电动势，可能会击穿IGBT。所以，需要减少杂散电感，或者延长关断时间。•峰值驱动电流：Ipeak=U/Rg。U是电压的从负电压到正电压的变化值。 U=20V，当开通电压为15V，关断电压是-5V时； U=24V，当开通电压时15V，关断电压时-9V是；
•驱动功率：单次开通需要的功率：P=I*U =(1/2*Ci*U)*U =1/2CiU2。由于，开通和关断是伴随出现的。所以，一次开通和关断的损耗近似为其2倍：P= CiU2。每秒的开关损耗为：P=F CiU2。
•所以，Infineon驱动功率的近似计算：Ceff=(3~5倍)*Cies。
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IGBT的驱动参数
1， IGBT的驱动关键参数：
·门级电压：
·门级电容：
·开通电阻：
·关断电阻：
·系统杂散电感：
后面是Infineon的说明
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2， 门级电压影响：
·门级电压：最大允许正负20V，一般是开通+15V，关断-9V。这样刚好实用一个24V的电源和TVS管即可实现。
·开通门级电压增加：IGBT导通的饱和压降降低，IGBT开通时间也会缩短，降低开通损耗和导通损耗。但是，IGBT的短路电流随之也会增加，增加风险。
·关断门级负压增加：同样关断时间和关断损耗会缩小。但是，Di/Dt增加，也会增加风险。
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3， 门级电阻和驱动电流、驱动功率：
·门级电阻包括外部电阻Rg和IGBT内阻Ri。Rg=Re+Ri。
·门级电阻增大：开通和关断电流减小，增加了开通和关断的时间，增加了功率上损耗。但是，感应浪涌电压减少，有利于IGBT的保护。Dv/Dt误触发也不容易发生。
·开断电阻：IGBT关断时，由于负载时感性的，Di/Dt的变化，会产生电动势，可能会击穿IGBT。所以，需要减少杂散电感，或者延长关断时间。
·峰值驱动电流：Ipeak=U/Rg。U是电压的从负电压到正电压的变化值。
U=20V，当开通电压为15V，关断电压是-5V时；
U=24V，当开通电压时15V，关断电压时-9V是；
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·驱动功率：单次开通需要的功率：P=I*U =(1/2*Ci*U)*U =1/2CiU2。由于，开通和关断是伴随出现的。所以，一次开通和关断的损耗近似为其2倍：P= CiU2。每秒的开关损耗为：P=F CiU2。
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·所以，Infineon驱动功率的近似计算：Ceff=(3~5倍)*Cies。
