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LLC240W产品设计资料分享,高效94

QW-LD3040-240.zip   

SANKEN LLC芯片240产品PCB资料分享,可以加QQ交流314039164

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gqxu2001
LV.6
2
2014-10-15 15:31

在推介方案?板子画的不错,但是把PFC芯片放到其电感下面是否妥当?

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moschoni
LV.3
3
2014-10-18 03:40

請問有電路圖檔案嗎??

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weigq888
LV.4
4
2014-10-18 11:15
@moschoni
請問有電路圖檔案嗎??
有,可以加QQ
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2014-10-20 11:49
@weigq888
有,可以加QQ

本案子是250W,效率达到95.4%。

真实。有所有材料。

可供大家参看下。

且体积比原来的小很多。频率跑在200K,也可以跑在500K,当然这不是传统的硅MOSFET能做到。

硅器件如果跑高频将发热很严重。这里用的是氮化镓MOSFET TPH3002PS,可以看到无任何散热片

常规的PFC+LLC电路设计正常效率在93%以下。 主要是因为电路上高压硅MOSFET的损耗很大使效率很难提高,

虽然现在有cool-MOSFET,但依然存在着不足,虽然Rds(on)很小了,但死区时间较大。开关周期中体内寄生的二极管

存有损耗。使得效率无法进一步提高。同时由于硅材料的物理特性,高压MOSFET工作频率很难再提高,正常超过150K HZ

MOSFET的损耗会成倍地加大。

新型MOSFET采用的是氮化镓材质,在体内没有寄生二极管。同时氮化镓MOSFET的体内寄生参数相对COOL-MOSFET来说小很多

不管是结电容还是门极驱动电荷Qg,均不是一个级别的小。

氮化镓是高频器件,可以跑很高的开关频率,200K--10M开关频率。而硅材料能只150K以下/600V器件,硅MOSFET高频后发热很严重。

但氮化镓MOSFET高频后基本差不多,不会带来热的问题。

目前市场走小型化,高功率密度化,氮化镓是必然的方向。

现在介绍的是采用氮化镓的产品:

VIN:90--264Vac

Vou:12V  20A

EMIPFC 均通过。

此板是是苹果一体机电源的方案。请参看下面。 (第一图是苹果电源老板与新板对比,黑色是先前板子,采用的是COOL-MOSFET,

新板子采用的是氮化镓MOSFET,无任何散热片。)

因为黑色的为硅材料,600V的高压COOL-MOSFET工作开关频率只能100K以下。所以体积必然会在大,同时硅的损耗也会比氮化镓大。使得其

效率最大在93%左右,

而更改成氮化镓MOSFET后,可以提高工作频率,同时氮化镓本身没有因为高频带来更多热的问题。可以看到氮化镓MOSFET无散热片,可以想像其损耗很小。


200K LLC+PFC 250W 95.4%效率.pdf

氮化镓MOSFET介绍.pdf

有些IE/浏览器不支持附件下载,请下载google chrome,它支持所有下载。

本人亲测。请理解与支持。或你自己下载试下其它的IE浏览器。

有安装 迅雷 的朋友,可以点击右键下载,这样更快。

更多资料请从这里下载: http://pan.baidu.com/s/1sjyPuOX

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weigq888
LV.4
6
2014-10-28 13:27
@transphorm
本案子是250W,效率达到95.4%。真实。有所有材料。可供大家参看下。且体积比原来的小很多。频率跑在200K,也可以跑在500K,当然这不是传统的硅MOSFET能做到。硅器件如果跑高频将发热很严重。这里用的是氮化镓MOSFETTPH3002PS,可以看到无任何散热片[图片][图片]常规的PFC+LLC电路设计正常效率在93%以下。主要是因为电路上高压硅MOSFET的损耗很大使效率很难提高,虽然现在有cool-MOSFET,但依然存在着不足,虽然Rds(on)很小了,但死区时间较大。开关周期中体内寄生的二极管存有损耗。使得效率无法进一步提高。同时由于硅材料的物理特性,高压MOSFET工作频率很难再提高,正常超过150KHZMOSFET的损耗会成倍地加大。新型MOSFET采用的是氮化镓材质,在体内没有寄生二极管。同时氮化镓MOSFET的体内寄生参数相对COOL-MOSFET来说小很多不管是结电容还是门极驱动电荷Qg,均不是一个级别的小。氮化镓是高频器件,可以跑很高的开关频率,200K--10M开关频率。而硅材料能只150K以下/600V器件,硅MOSFET高频后发热很严重。但氮化镓MOSFET高频后基本差不多,不会带来热的问题。目前市场走小型化,高功率密度化,氮化镓是必然的方向。现在介绍的是采用氮化镓的产品:VIN:90--264VacVou:12V 20AEMI, PFC 均通过。此板是是苹果一体机电源的方案。请参看下面。(第一图是苹果电源老板与新板对比,黑色是先前板子,采用的是COOL-MOSFET,新板子采用的是氮化镓MOSFET,无任何散热片。)因为黑色的为硅材料,600V的高压COOL-MOSFET工作开关频率只能100K以下。所以体积必然会在大,同时硅的损耗也会比氮化镓大。使得其效率最大在93%左右,而更改成氮化镓MOSFET后,可以提高工作频率,同时氮化镓本身没有因为高频带来更多热的问题。可以看到氮化镓MOSFET无散热片,可以想像其损耗很小。200KLLC+PFC250W95.4%效率.pdf氮化镓MOSFET介绍.pdf有些IE/浏览器不支持附件下载,请下载googlechrome,它支持所有下载。本人亲测。请理解与支持。或你自己下载试下其它的IE浏览器。有安装迅雷的朋友,可以点击右键下载,这样更快。[图片]更多资料请从这里下载: http://pan.baidu.com/s/1sjyPuOX

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2014-11-03 10:19
学习
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weigq888
LV.4
8
2014-11-03 11:35
@蚂蚁电源
学习
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2016-02-26 20:33
@transphorm
本案子是250W,效率达到95.4%。真实。有所有材料。可供大家参看下。且体积比原来的小很多。频率跑在200K,也可以跑在500K,当然这不是传统的硅MOSFET能做到。硅器件如果跑高频将发热很严重。这里用的是氮化镓MOSFETTPH3002PS,可以看到无任何散热片[图片][图片]常规的PFC+LLC电路设计正常效率在93%以下。主要是因为电路上高压硅MOSFET的损耗很大使效率很难提高,虽然现在有cool-MOSFET,但依然存在着不足,虽然Rds(on)很小了,但死区时间较大。开关周期中体内寄生的二极管存有损耗。使得效率无法进一步提高。同时由于硅材料的物理特性,高压MOSFET工作频率很难再提高,正常超过150KHZMOSFET的损耗会成倍地加大。新型MOSFET采用的是氮化镓材质,在体内没有寄生二极管。同时氮化镓MOSFET的体内寄生参数相对COOL-MOSFET来说小很多不管是结电容还是门极驱动电荷Qg,均不是一个级别的小。氮化镓是高频器件,可以跑很高的开关频率,200K--10M开关频率。而硅材料能只150K以下/600V器件,硅MOSFET高频后发热很严重。但氮化镓MOSFET高频后基本差不多,不会带来热的问题。目前市场走小型化,高功率密度化,氮化镓是必然的方向。现在介绍的是采用氮化镓的产品:VIN:90--264VacVou:12V 20AEMI, PFC 均通过。此板是是苹果一体机电源的方案。请参看下面。(第一图是苹果电源老板与新板对比,黑色是先前板子,采用的是COOL-MOSFET,新板子采用的是氮化镓MOSFET,无任何散热片。)因为黑色的为硅材料,600V的高压COOL-MOSFET工作开关频率只能100K以下。所以体积必然会在大,同时硅的损耗也会比氮化镓大。使得其效率最大在93%左右,而更改成氮化镓MOSFET后,可以提高工作频率,同时氮化镓本身没有因为高频带来更多热的问题。可以看到氮化镓MOSFET无散热片,可以想像其损耗很小。200KLLC+PFC250W95.4%效率.pdf氮化镓MOSFET介绍.pdf有些IE/浏览器不支持附件下载,请下载googlechrome,它支持所有下载。本人亲测。请理解与支持。或你自己下载试下其它的IE浏览器。有安装迅雷的朋友,可以点击右键下载,这样更快。[图片]更多资料请从这里下载: http://pan.baidu.com/s/1sjyPuOX
MARK
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yuchuan
LV.5
10
2016-09-28 10:25
主题推荐不错,还是有些问题,别人拿到你的案子,没有你的原理图不会用呀!请上传相关资料,好推广你的方案!
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