传统的MOSFET是半导体硅做的，而硅MOSFET在高压600V的时候，工作频率不能跑高，跑得太高使得管子发热很严重。这是硅材料的物理特性决定的。
新的材料-氮化镓MOSFET将为我们解决这问题，这种材料的MOSFET现在被各大厂商在开发中，INFINEON, ST, SHARP.ROHM,IR等均有相对应的产品将问世，这一趋式无法改变。
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氮化镓有如下好处，1，可以跑高频，100K---10M开关频率（同时高频后并不会像硅MOSFET那样带来过多的热问题）
2，氮化镓材质的MOSFET体内寄生电容很小，米勒电容也很小。所以开关损耗会很小
3，氮化镓MOSFET体内没有像硅MOSFET的寄生二极管，但电流可以从S流向D，通过自身的电子层导通，因为没有恢复损耗的问题。
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