标准的PFC 电源电路如下图，通常采用的是一般的硅MOSFET或COOL-MOSFET.
但受硅材料高频特性差的缺点。一直控制在100K以下。
而效率一般在97--97.5%左右。有的更低。（包括前面的整流桥，MOSFET开关损耗及二极管损耗，电感损耗）
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传统的MOSFET是半导体硅做的，而硅MOSFET在高压600V的时候，工作频率不能跑高，跑得太高使得管子发热很严重。这是硅材料的物理特性决定的。新的材料-氮化镓MOSFET将为我们解决这问题，这种材料的MOSFET现在被各大厂商在开发中，INFINEON, ST, SHARP.ROHM,IR等均有相对应的产品将问世，这一趋式无法改变。氮化镓有如下好处，1，可以跑高频，100K---10M开关频率（同时高频后并不会像硅MOSFET那样带来过多的热问题）2，氮化镓材质的MOSFET体内寄生电容很小，米勒电容也很小。所以开关损耗会很小3，氮化镓MOSFET体内没有像硅MOSFET的寄生二极管，但电流可以从S流向D，通过自身的电子层导通，因为没有恢复损耗的问题。
采用氮化镓MOSFET代用上面传统的MOSFET，将会有明显的改变。
此时无需加任何的snab吸收电路。如下图。
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下面是实例 1000W，10cm*10cm，还可以做小。
只要一个这么小的散热片。
更多资料可以从下面得到：
http://pan.baidu.com/s/1sjyPuOX
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氮化镓MOSFET - 300-1500W PV逆变应用-微型逆变器-UPS方案.pdf
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