LLC电路发展到现在，大家多半用的是在200K以下的开关频率，主要受限于MOSFET。
传统的MOSFET是半导体硅做的，而硅MOSFET在高压600V的时候，工作频率不能跑高，
跑得太高使得管子发热很严重。这是硅材料的物理特性决定的。新的材料-氮化镓MOSFET
将为我们解决这问题，这种材料的MOSFET现在被各大厂商在开发中，INFINEON, ST, SHARP.
ROHM,IR等均有相对应的产品将问世，这一趋式无法改变。
氮化镓有如下好处，
1，可以跑高频，100K---10M开关频率（同时高频后并不会像硅MOSFET那样带来过多的热问题）
2，氮化镓材质的MOSFET体内寄生电容很小，米勒电容也很小。所以开关损耗会很小.
3，氮化镓MOSFET体内没有像硅MOSFET的寄生二极管，但电流可以从S流向D，通过自身的电子层导通，因为没有恢复损耗的问题。
所以说氮化镓的出现，解决了我们电路上的高频问题，氮化镓可以工作到最大10M HZ的频率。
且高频后不像硅MOSFET那样带来额外的热问题。
输入：400V
输出：12V 20A
500KHZ
效率》97。5%
MOSFET: TPH3002 Rds(on)=0.29欧(9A，无需散热片）
驱动IC：NCP1397
输出同步整流
体积：30mm * 90mm
total 250W
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氮化镓MOSFET LLC方案，250W无散热片 97%效率 400V-12V.pdf
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