谁能提供各个公司所生产的器件优势,可以整理,方便设计时选用!

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是不是贴错附件了?怎么是2596的资料?既然提供2576,2596,顺便问一下2576-5.0和2596-5.0分别什么价格?

我是新手,看到这样的号召贴,我顶~~~~~~

个人觉得Onsemi、IR、Fairchild、Vishay、ST这几个厂家在分离器件上各有千秋,但是从样片和供货上来看,Fairchild几乎不提供样片,Vishay很难申请,IR相对容易,Onsemi最方便,ST的没有试过,不过供货上这几家差不多.

一般比较MOS的标准是用RDS(ON)*Qg,目前APT最新一代的MOS做的最低.肖特基,一般只能做到150V以下,200V就算高压了.APT的现在是做到200V/200A,SOT-227封装.至于再高的电压,那就是SIC肖特基了,现在最高是做到1200V,20A,如果需要更大的电流,那可以让生产厂家做更大的封装.另外~~偶也算是APSC的,偶的毕业设计是跟陈老师,师兄现在还在学校里么,我姓徐,xlg@sz-sunny.com

IR目前在RDSON和驱动电荷量上是最好的,基本上要先进对手1年半(对比一下数据就知道).在ZVS领域有独到的产品.
驱动电荷低;器件开关速度就快,开关损耗就低.同样体积下器件忍受电压电流能力最大.
IXYS大电流FET强,但;大电流FET内的寄生栅电阻大;驱动电荷大.ZVS领域和IR有差距.
APT和IXYS一样,有大电流器件,但性能差.价贵.
普通FET如IRF830/840;仙童的和南韩的最便宜.ST次之.
低压FET NEC和IR做的最好.不过;建议别用日货.
IGBT有西门康,西门子,三棱,东芝,IXYS,APT,仙童...各公司各有特色.要根据用途酌情选择.
整流管:从特性上讲;肖特基最好的是日货(郁闷),IR次之.从电压电流讲,IXYS和IR的最大(150V400A),小快恢复硅管非利埔和摩托罗拉最好,大电流快恢复IR最好(1200V的大电流高压管达到35ns).硅桥是GI和三肯/新电源的最好.
高压驱动:IR目前还没有实际的对手.
这是我使用中的一点体会,希望对大家有用.
器件好用,一方面在器件本生,更重要的是工程师的技术和经验.如果处理不当,好特性有时侯对某些指标会起坏作用如EMI等.
希望各代理商本这实事求事的态度发言,不要抄做.

我只讨论一下一些技术问题:
1:考量MOSFET要把导通损耗和开关损耗联系起来看,同样体积下器件承受电流的能力是和总损耗和耗散功率有关系,直观上看仅仅和温升有关系,用水冷却肯定能比用风冷却承受更大的电流.而且MOS和IGBT一样,开关损耗和导通损耗是一个矛盾的关系,在这点上各个厂家采取的策略也不同,有侧重于加快开关速度的,有侧重于减少导通损耗的,以导通电阻为X轴Qg为Y变量的曲线是一条反比例曲线.所以对于确定的一些电路,只能说一些管子最合适.至于说IR的参数领先对手一年半,个人觉得不太可能,在这个行业那家的水平都比较接近,我找个APT不太擅长的小功率的管子和IR比较一下好了,APT5024BFLL(500V/22A)和IR460(500V/20A),这两个管子应该具有可比性1100287862.pdf1100287880.pdf,前者是0.24欧姆*43纳库,后者是0.27欧姆*210纳库.也可能IR有新一代460,那也可以传上来比较一下.

2:再说说快恢复,快恢复管的特性和上面比较类似,它的恢复时间和导通压降也是反比关系,不同的特性对应的应用场合也不同,一般来说高速的适合PFC,低导通压降的适合输出整流,也有的厂家做的快恢复趋向于那两点的折中.

当今器件的技术不断更新换代,功率器件也是越做越细,这里指的是应用场合,不同系列的器件的应用场合更加专业,通用性的器件越来越少,性能最好的器件不一定是最合适的.不过不管怎么发展,追求最好的性能价格比永远是不变的.

兄弟你的确搞错了.看看这个.460是IR二十年前的产品.1100527605.pdf
它比460的电流大!TO-220的
再看看对硬开关和软开关分别优化的产品:

的确不错,220封装,价格应该很好把,10块钱左右?