如何选择功率MOS

认识功率mos

我们电动车上用的功率mos和平常cmos集成电路中的小功率mos结构是不一样的。

小功率mos是平面型结构。而电动车上上用的功率mos是立体结构。

平面型结构是指，mos栅极，源级和漏级都在芯片表面（或者说正面）.

而功率mos的立体结构（沟道是深槽立体结构）

下面介绍下对普通用户实用点的。Mos挑选的重要参数简要说明。以datasheet举例说明。

栅极电荷。Qgs, Qgd。

Qgs:指的是栅极从0v充电到对应电流米勒平台时总充入电荷（实际电流不同，这个平台高度不同，电流越大，平台越高，这个值越大）。这个阶段是给Cgs充电（也相当于Ciss，输入电容）。Qgd:指的是整个米勒平台的总充电电荷（在这称为米勒电荷）。 这个过程给Cgd（Crss，这个电容随着gd电压不同迅速变化）充电。

理论上选择Qgs和Qgd小的mos管能快速度过开关区。

导通内阻。Rds（on）。

这个耐压一定情况下是越低越好。同一管子，温度越高内阻越大（这是硅半导体材料在mos制造工艺的特性，改变不了，能稍改善）。所以大电流测试内阻会增大（大电流下结温会显著升高），小电流或脉冲电流测试，内阻降低（因为结温没有大幅升高，没热积累）。

所以选择标准是找Qgs和Qgd小的mos管，并同时符合低内阻的mos管。

但在同样工艺下，这2个影响充电电荷的参数和芯片面积成正比（就是芯片面积越小电容越小），而Rdson内阻和芯片面积成反比（芯片面积越大内阻越小）。

而在大功率应用场合，内阻还是起主导地位的。

那有没有既符合低内阻，电容特性又比较好的呢？半导体制造和设计一直在进步。即使目前特性不好的管子放在以前也是最好的。所以只有相对的更好。