小弟最近做一锂电充电器,输出42V,1.4A,试了一些比较常见的结构,传导基本都没问题,空间辐射和功率辐射都超标了。
因做全电压,用的是PI的IC,无论是初包次还是次包初,中间用铜箔屏蔽还是用铜线屏蔽,辐射这块都过不了。前面用了两个0.1UF的X电容,一个1mH电感,一个22mH电感。初级和次级大电流环路面积也不是太大。辐射在前面都超标,请教各位大神,能从哪里改进一下,在线等,不胜感激。
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因做全电压,用的是PI的IC,无论是初包次还是次包初,中间用铜箔屏蔽还是用铜线屏蔽,辐射这块都过不了。前面用了两个0.1UF的X电容,一个1mH电感,一个22mH电感。初级和次级大电流环路面积也不是太大。辐射在前面都超标,请教各位大神,能从哪里改进一下,在线等,不胜感激。