如何解决 cool mos EMC EMI

大家在运用coolmos 的时候，都会遇到EMI比较难过的问题，　我做个简单的分析：

Cool Mos的Cds 跟 VDMOS 接近，Cgs要略小一些， Cgd应该小很多。

所以在EMI方面 di/dt 和 dv/dt 都会比VDMOS 快一些，dv/dt 快的更多。

Di/dt 和dv/dt都可以用加大gate resistor 的方式减慢。

对比普通ＶＤＭＯＳ，选择合适的ｇａｔｅ　ｒｅｓｉｓｔｏｒ就非常重要！

Hunteck Cool mos 在设计，生产工艺方面都有考虑EMI 。