(IR)整流器用于D类音响

由于不断改进的音频质量,D类音频放大器已经迅速成为家庭影音系统的首选解决方案. 国际整流器公司借助其先进的高电压技术,为D类音频应用提供高性能MOSFET和栅极驱动集成电路. 结合了我们业内领先的设备耐用性之后,我们将可使客户得以推出更高功率密度和更高可靠性的更优性能音响系统.
    A.通过所推出的MOSFET的IRFI4xxxH-117P系列,IR在不断改进着D类音频放大器的表现性能. 除低接通电阻外,半桥N通道MOSFET提供优化的栅电荷,体二极管反向恢复和内部栅电阻来改善关键的D类音频放大器的性能参数,如效能、THD和EMI. 例如,IRFI4xxxH-117P具有一个可提供高效能的典型48欧RDs(on),以及一个典型的8.9nC的Qg,以及4.3nC的Qsw用于增强的THD.
特性一览:
1.低 RDS(on) 可提供更高的功率密度
2.更低的栅电荷可实现更高速度
3.175° 能力提供增强的可靠性
    
    B.通过所推出的DirectFET® MOSFET IRF6665,IR在不断改进着D类音频放大器的表现性能. 开发的这种DirectFET带有专为音频放大器应用所设计的优化特征. 小盒DirectFET®封装使系统受益,例如面积缩小、PCB布局得到改进、减小的EMI,以及比其他塑料封装元件更强的散热特性.

有着更强电和热特性的IRF6665,可提供100W的输出功率到8 mOhms,且不发生热沉. D类音频关键参数RG(int)有一个保证的增强死区时间控制最大值. 这对于降低系统总谐波失真THD水平是一个重要因素.

IRF6665使用IR基准的DirectFET封装技术,加以最新的MOSFET工艺,以在中等功率D类音频放大器应用中使其性能达到最大化. 该器件参数经过专门调试,提供增强的音响表现. 这一独创性的解决方案使客户得以提供更高性能的音响系统,有着更好可靠性和更强的放大器输出功率.

D类放大器应用范围广泛,从电池供电的便携式产品到高端专业放大器,从乐器到家用多媒体系统都可适用.

专为功率应用而设计的封装
IRF6665 DirectFET MOSFET有一个独特的简单构造,在无晶片封装电阻和热散失能力上实现了突破,在特定的面积上为提供最优性能而提高了设备效率和电流传输能力.

    C.栅极驱动集成电路
IRS2011(S)PBF
一种高功率、高速度的功率MOSFET驱动器,带有独立高侧和低侧引用输出通道.
IRS20124SPBF
一种高电压、高速度的功率MOSFET驱动器,带有内部死区和关闭功能.
IRS20954SPBF
一种高电压、高速度的MOSFET驱动器,带有浮动PWM输入. 对于新设计,使用IRS20955(S)PBF
IRS20955(S)PBF
一种高电压、高速度的MOSFET驱动器,带有浮动PWM输入.