中压MOS工艺比较
沟槽工艺：开关损耗大， 内阻大 。代表：国内厂家
植入工艺：开关损耗小， 内阻小。 代表：Vishay
SGT工艺： 开关损耗更小，内阻更小。代表：Infineon Hunteck
高压MOS 工艺比较
平面工艺：开关损耗大，内阻大。 代表：国内厂家
cool mos 工艺：开关损耗小，内阻小，价格高 。代表 infinion
超结工艺：开关损耗小，内阻小，价格低 。代表：hunteck
中压mos 晶圆尺寸比较
Huntest SGT 100
Infineon OptiMOS3 102
Infineon OptiMOS2 165
IR 193
AOS new SGT 114
AOS old SGT 148
Magnachip 142
MOS 抗冲击电流，雪崩 EAS UIS 比较
Infineon 100
Hunteck 100
IR 80
Toshiba 75
AOS 75 and 33
电压变化破坏试验
Hunteck 中压100v SGT mos 设计有增强型寄生二极管 在60v 30A 500A/us 230度 没有破坏
Hunteck 高压mos 设计有长寿命控制寄生二极管 降低逆向恢复电荷10个点。
平滑的开关性能
平滑开关曲线保证好的EMI 性能，线路设计比较容易可靠。
开关速度可以在SGT和普通mos 之间控制，其他参数保持不变。
大电流开关的好处
高温大电流关断是衡量mos好坏的关键点。
MOS关断前通过饱和区域发生在以下情景：马达锁死；输出短路；上电瞬间。
关闭失效与热失控
实际上一个好的设计可以做到热失控。MOS开始泄漏直到饱和失效。Hunteck热失控可以高到250度不好的设计在热失控前温度低的时候就崩溃了。崩溃前并没有泄漏，在关闭的时候就崩溃了。
