上帖说到锐骏半导体发布了专利产品,内绝缘MOS (TO-220S封装) 我也申请了几个样品,准备坐下实验。为了达到实验的一致性,我同样申请了这个型号MOS的普通封装(TO-220AB封装)形式。在这里先感谢锐骏半导体提供的MOS!
我申请的MOS型号为RU1H140R3和RU1H140R他们的基本参数相同
先看下他们的照片 正面照 背面照 大家看看现在这个照片,能分别出那个是TO-220AB封装和TO-220S封装么?
先看下他们的照片
正面照
背面照
大家看看现在这个照片,能分别出那个是TO-220AB封装和TO-220S封装么?
对,区别一看就能看出来。TO-220AB封装是一体的
而TO-220S封装是有裂缝的,像是后来补上去的。
那么他的绝缘性到底怎么样呢
我们先测测TO-220AB的,我们用万用表测中间的腿和背面的散热基板的阻值
从图中可以看到,阻值是0.048R,两个是连一起的
我们再测TO-220S的
从图中看测试结果为无穷大,两个并没有连在一起。
量了阻值了,下边测试下绝缘性到底有多少
先拿要摇表试试绝缘电阻
在用高压测试仪试试
先打DC
2000V的时候没有问题
再试试AC
1500V的时候没有问题
继续往上增加,到2000V的时候击穿了。
这样的绝缘特性用到普通DC-DC电源是没有问题的