上帖说到锐骏半导体发布了专利产品,内绝缘MOS (TO-220S封装) 我也申请了几个样品,准备坐下实验。为了达到实验的一致性,我同样申请了这个型号MOS的普通封装(TO-220AB封装)形式。在这里先感谢锐骏半导体提供的MOS!
我申请的MOS型号为RU1H140R3和RU1H140R他们的基本参数相同
先看下他们的照片
正面照
背面照
大家看看现在这个照片,能分别出那个是TO-220AB封装和TO-220S封装么?
量了阻值了,下边测试下绝缘性到底有多少
先拿要摇表试试绝缘电阻
在用高压测试仪试试
先打DC
2000V的时候没有问题
再试试AC
1500V的时候没有问题
继续往上增加,到2000V的时候击穿了。
这样的绝缘特性用到普通DC-DC电源是没有问题的