传统观念晶圆尺寸越大，可靠性越高，这个观念是片面的，是业余的！

当今的MOSFET 技术能增强 MOSFET 的性能，比如降低传导开关损耗同时晶圆尺寸还能越做越小。

 对于应用工程师，总是会有疑问：

新的技术 比如Shielded Gate MOSFET (SGT) 与普通的 沟槽MOSFET ，CoolMOS (超结 MOS) 与平面MOSFET.

新的技术在相同的Rdson 的情况下晶圆尺寸会小很多。

那么如何评估器件的散热性能和MOSFET的抗冲击能力呢?

 本介绍讨论并从时间刻度上揭示了新的MOSFET 和老的MOSFET之间的秘密。