威兆工艺直接跳过平面设计，采用二代立体沟槽工艺，同时在各应用行业有先进的解决方案。
如锂电池保护，采用双N结构，内置两个N沟道MOSFET，一个用来充电，一个用来放电。使用户节省成本和电路板的体积，同时以不同封装形式满足客户选择。
威兆半导体还向全球客户提供中低压大电流MOSFET，从-100V P-MOS到600V N-MOS产品及三极管肖特基产品的供应与服务；除此之外，威兆还为客户全方位提供应用解决方案，以及根据不同客户服务满足客户不同的需求进行产品的设计开发，全面一体的满足客户需求，在满足客户需求的产品同时，为客户提供应用的支持服务，稳定的交期，同时降低成本。
