击穿电压的增加和漂移层掺杂浓度的不断降低,厚度不断地增加,使作为电流通路的漂移层电阻升高,超结mosfet已成大势
上面资料中有说过了,可以参考下资料中说的那个图表,就知道差在哪里了。
超结MOSFET的特点
1.极低的传导损耗
2.极大的电流能力
3.极低的栅极电荷Qg
4.低的开启电压
5.极快的开关速度
6.出色的UIS能力
7.百分百的雪崩能量击穿测试
正是由于它的这么多优点,超结MOSFET已经开始被广大用户所接受。