各位大神看看有什么方法把这个尖峰给去电吗?
红色的CH3是反激MOS管的DS,蓝色的CH4是RCD吸收的D的阴极和MOS的S的电压。
我看其他人的这个尖峰都很小的
现在就是太高了,用的是600V的MOS管,输入264V的时候最高能冲到640,
我也把匝比降下去过,不过这样要一直工作在DCM的话就要将电感量了,降了电感量峰值电流就大了,MOS管是5A的,如果电感量降到250uH的话峰值电流就冲到4.7A了- -!所以比较纠结。
你做多少W的电源,感量怎么那么小250uh ?
反激不适合做100W的,70W顶了。100W用正激做 效果嗷嗷好!
ke可可,谁告诉你反激不能做100W?
全电压输入,反激 我都做150W,单220V输入 反激做到200W~220W,
连续那是肯定的,不连续怎么行呢?
充电器不全是反激,正激的也有,LLC的也有
下面是2款正激的,单管正激+APFC,双管正激无PFC
100W 看输出条件,有些100W,正激是做不了的,
但100W,大部分输出条件,反激可以完成,
各有优点
大神帮忙看看是不是布线哪里有什么问题
不是不能,是不适合。反激做小功率是最合适的,包括成本方面。而正激做中功率成本和性能也是最合适的。虽然反激能做200W,我甚至还看见2000W的,但是为什么非得用不合适的拓扑。用正激做100W的成本和性能绝对比反激好,我做个几个。
做150W内用正激不合适,原因,成本问题,
还有150W用反激 ,很容易实现全电压,而正激则不可以全电压,
正激要满足全电压输入,就得加APFC,那成本就巨大了,电路也复杂,难度增大,
150W的充电器,成本就10多元,你搞正激,一个储能电感 的成本就受不了的,
还更别说 900V的MOS了,
简直就是瞎起哄
充电器的输出电压都比较高,60V 72V 84V适合反激,不适合正激
正激做12V 很合适,做输出电压高的,正激不行,
不计成本的话最好的是半桥,传统半桥和LLC都可
在输出整流二极管上并了个220pF的电容就降了很多
并了220P在整流管,你有没有测试待机时 ,比不并之前,待机功耗有没增大呢?
还有并了后,与并之前,带满载,效率有没改变呢?
并220pF:5分钟积分测试,输入9.57wh,输出8.55wh,效率0.8934
不并220pF:5分钟积分测试,输入9.61wh,输出8.58wh,效率0.8928
并220pF待机功耗:1分钟积分测试,输入0.0397wh
不并220pF待机功耗:1分钟积分测试,输入0.0392wh
待机功耗差不多,效率反而是并了220pF的高一点,
整流管两端不是直接并221,是R+C串联起来,再并在整流管2端,
你试下30R+471( 或102)