1200W反激开关电源的疑惑

挂功率器件的波形去看，对应波形再分析，然后按照感量去做个仿真试试。

个人认为反激功率可以做到N大，类似于BOOST电路一样。

1200W也就是比小功率的电路初级电流和次级电流大些，温升高，效率没有测试过，不清楚。反激功率做大好像就是漏感的问题弄的比较严重。

 如果辅助绕组起作用的话，理论上是与初级耦合，同时漏感也耦合到辅助绕组上，能量通过二极管到输入大电容吸收，那样MOSFET的压力会小点。

暂时这么认为。

我做了仿真，电路能正常工作，初级电感连续，电流纹波很小。漏感还没有加进去试。

兄弟有何想法也提出来讨论下。

请尽快联系我。或者你给我你的联系方式。

应该属于多谐振荡类型的电源   老的CRT电视机的场偏转线圈就是类似方式驱动的

非常感谢。控制芯片是NE555。固定频率46KHZ。我没有搞明白驱动变压器为什么和主变压器串联在一起，我以为应该是在MOS管关断的情况下产生负压。请分析一下驱动变压器二次侧的工作原理。请问在哪里可以做到类似的资料。

带复位绕组的反激，没有什么特别的。1T的那个绕组估计是加速驱动用的。

用4个变压器并联出1200W，应该可以，就是不知道它每个变压器怎么均流。

功率开关管用APT1004，会不会电流安全系数太低了。

其实用多相控制的反激电路比这个反激电路更好。

我测过不加高压时MOS驱动波形，占空比约为7%。把高压从0V一直往上加到直流200V,MOS漏极波形都是反激拓扑波形.超过200V开始稳压。所以我认为“这电路和RCC有几分相似”这句话不太准确。还请指正。

是4对磁芯，还是4块2对磁芯。

反激没有什么研究的啊。

只要能够峰值电流过得去，MOS的DS的电压安全，做多大功率么有什么关系。

如果EMI要求严格的话，反激就不是最合适的架构了。