参考论坛做的24V准谐振逆变器.
目前正常带载时波形还算可以.但是软启动过程占空比低时DS尖峰超过100V,试过RC 吸收 ,效果不明显.
TVS(p6ke68a)并联MOS,好像也没什么作用,请问是我的方法有什么问题吗? 以下波形供参考.目前软启动时间120ms.
满载波形:
无吸收:
RC吸收:
TVS:
你好。你是看我的论坛做的吗,这个我非常清楚,需要注意影响,变压器你恐怕是完全没有气旋吧,这个会导致结电容存在,容性开通的情况,产生谐波,注意就产生了一定的峰压了,从波形上看,上抖下缓的正弦波电流,属于负载偏小了吧,当然,这个品种因数高了,存在一定的这种现象,但属于0电流关断和0电流导通了,是不是。加一点气旋,即一层胶带0.06毫米就可以了。
注意一下,不要变频,是固定频率的,谐振电容一只1微法25到30只左右,通过调整数量到完全正弦波,像上面的电路波形是可以的,要用方型大个一点的电容,不可以用小个的独石电容,因为,可以达到500瓦以上,最大可以1000瓦了,那电流多大呀,所以,一只电容只能过2安,不可以再大了,否则,电容腿脚受不了,而且会发热的。【有什么问题再上网讨论吧】
交代,开关管上下两个一点两点一线,短距离并电容,否则你,大电流走线电感会产生感生电动势产生尖峰电压了。千万不可以加RC通常的开关管所谓的吸收,这样是人为并联了电容了,不是说开关管结电容越小越好吗,你并联这个吸收器岂不是把结电容加大了吗,这个与硬开关不一样的,不允许并联电容的,当然,与不要调频调脉宽,这个产生了硬关断自然就会产生非常高的尖峰了,要稳压再通过二级降压电路来实现的,前面的一概固定不稳压,形成正弦波电流就可以了,这个不是准谐振而且全谐振,可以说这个部分的效率最高了。通常是要用100伏以上耐压的开关管,电压高内阻大效率不是太高,即推挽两管满脉宽效率很高了但不如这个的效率高,改进移相吧,应当非常不错的效果的。
我用的是30伏100安内阻是5毫欧非常小了,两个并联,在于小封装管子不可以通过太大的电流,500瓦两个并联总共四个管子。这个我测试过,最高实际耐压是36伏,在30伏以下是完全可以的,这个管子才1,2元,非常便宜,四个才4,8元,是不是非常便宜,这个管子的型号是FTP05N03,与一位人联系。电话,13603075120,我拿来20只做实验,效果是非常不错的,当然还有耐压高一些的,如48伏用75伏80伏的也有,另外,高电压的也有。
你把这个帖子放到电源技术综合区吧,因为在这里看不到这个帖子了。
张大师 ,你好,感谢你的回复
如您所说,RC效果不理想,
看到论坛有用TVS的,不知如何使用可以达到效果?
MOS管不太想用更高的,目前100V,看到大家基本都是80V的管子,不知是不是靠雪崩吸收的?
闭环工作时有2种模式: 1:开机软启动时。
2:空载或者负载很轻时。
下面来看一张开机MOSFET的电压波形
这是输入24V电压下功率MOSFET的电压尖峰,如果选用100VMOSFET,也是是相当危险。
下图为处理后的开机电压尖峰波形,基本上已经控制在2倍输入电压下。
由于时间关系,接下来会依次讲解处理开机电压尖峰的处理办法。
根据你所反映的情况,我看了我的实验波形,发现DS电压一点尖峰都没有,不像你说的存在电压尖峰问题,你一点在哪里有误,我这里电压波形非常方方正正,没有什么峰值电压的。另外,我要提一下,当年我做推挽24伏用60伏的开关管为何效率低,就是管子击穿了,形成了稳压管形式了,产品也出去了,只是效率低了一些,管子不会坏的,以为凡是电压击穿就坏,看能量关系,如果小了不会有问题的,大了当然不行的。
我实验结果非常清清楚楚,24伏就30伏的管子,内阻小,便宜,实际耐压有36伏,完全可以,不要用什么100伏的,我上面提到的是进口的,现在,低电压内阻可以小到才2毫欧,达200安【当然,220的腿脚细,不允许超过30安】,用同步均流压降非常低,30伏对于谐振变换器输出电容直接盧波,12伏输出可以选择30伏的,输出5伏的更不用说了,耐压只要够了就可以了,这样比较经济,高一些电压的内阻大压降高成本也高,不是经济的。
顶一下,上面的改进移相错了,改为改进一下吧,因为拼音一样,容易差错。
补充一下,我是在空载的条件下波形也一点尖峰也没有呀,不像你说的,不是这样的,一定有误。无论空载大载,DS波形一样,电流波形也一样,只是,幅度不一样了。
“发现DS电压一点尖峰都没有,不像你说的存在电压尖峰问题“
请问在3525软启动的时候,占空比很低的时候,VDS波形是怎样的? 我的尖峰都是在启动时候抓的,第一张是正常工作的
也许是电路有区别,但是输出没有电感的,只有串联的谐振电容, 张大师请看下面的帖子
http://www.dianyuan.com/bbs/1470909.html 同样有此问题.以下为引用此帖
"不过咱这一写也不能让大家伙白捞,还有一个问题得让大家伙想想办法。不知道做推挽的朋友有没有发现。就是开机瞬间,3525软启动过程,由于占空比没有打开。变压器本身漏感和输出次级电容充电应力造成的MOS电压尖峰非常高,例如我48V输入前级,用200VMOS管,这尖峰在开机瞬间已经到达200V甚至会超过。危险很大,目前我只能用TVS嵌位在160V,但是这TVS嵌位可靠性还是挺悬,TVS也会有一定压降,电流越大,嵌位电压越高,就是说尖峰电流大时160V的TVS会升高到180V以上,总觉得治标不治本。"
借一下 此帖的图片 ,隔壁论坛的, 应该和上面的帖子 是一个 ,不知他的问题解决了没有
24伏输入,可以用耐压30伏的管,俺有点懵圈。