米勒平台怎么消除？

修个反激的3842的开关电源，

发现MOS热的很厉害，输出是24V1A，初级MOS用5N60，

驱动电阻是100欧姆1瓦。频率30K。

MOS没有用散热片，是塑封的。

温度工作10分钟后会高到70多度。

非常烫手。

看驱动的VGS波形，在升到5V后有一个小下降，然后一个平台，再升到10V的驱动电平顶端。

老师傅说是这个平台导致的发热，原来的MOS不发热的。现在换了个拆机的就热的很。

问问大家，这个平台应该怎么消除掉？

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tabing_dt

LV.10

2016-04-20 10:21

可以考虑加快MOSFET的开通时间,减少MOSFET的开通损耗。

大海的儿子

LV.10

2016-06-02 22:53

建议换低开通电压/低栅极电容的mosfet试试。

spowergg

LV.10

2016-06-02 23:21

@tabing_dt

可以考虑加快MOSFET的开通时间,减少MOSFET的开通损耗。

减少栅极电阻,能增大栅极充电电流和放电电流,是可以缩小米勒平台宽度的,但是坏处也是明显的,却容易产生上升尖峰,

x34242980

LV.9

2016-07-19 09:19

@spowergg

减少栅极电阻,能增大栅极充电电流和放电电流,是可以缩小米勒平台宽度的,但是坏处也是明显的,却容易产生上升尖峰,

那到底是驱动的问题还是MOS管子的问题？整体看下来就是因为这个平台导致发热严重的·1！

dahaizi1212

LV.6

2016-08-05 21:51

米勒效应是MOSFET的放大效应和Cgd的共同作用结果。

紫蝶

LV.9

2016-08-06 11:34

@tabing_dt

可以考虑加快MOSFET的开通时间,减少MOSFET的开通损耗。

减小MOS管子的导通电阻Rd，选择更小值的。

chenmingbo1972

LV.6

2016-08-15 16:48

@dahaizi1212

米勒效应是MOSFET的放大效应和Cgd的共同作用结果。

米勒效应是不是要更换MOSFET开关管啊！还是改变驱动电路减小输入的电阻，加大导通强度。

六月s

LV.2

2017-06-14 16:31

减小驱动电阻，加快上升沿，或者加大驱动电流