大家好，我用KA7500驱动调试推挽升压，dc48V-380V，DC输出带载约1kw时，Vds波形，有很大尖峰。
另外次级是加ＬＣ谐振，L为变压器次级漏感约8UH，C为CBB电容4个223。推挽开关管是200V的，加了180V箝位，也不行，大神帮看下，尖峰怎么出来的，谢谢
推挽升压 带1kw负载MOSFET的Vds波形怎么变成这样？
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@xzszrs
貌似驱动严重不足。
另外用的两个EE65变压器初级并联次级串联，推挽升压，MOSFET采用FDA70N20D两个并联，4个MOSFET驱动一个变压器，开关频率用的100kHz。没加LC谐振前，Vds是接近矩形波，但，尖峰很高。接近260V，后来参考老寿先生的一个关于谐振的帖子，又结合一些ZVS 、ZCS等谐振软开关文献，在次级加上LC谐振，带载（电阻负载）约3-4kw时，电压尖峰是压下去了，不过Vds波形变成这样了。
目前还没找到合适解决方案。目前想通过用单个大电流MOS管 IXFB120N50P2代替双MOSFET并联，计划做5kw两级式逆变器，考虑效率因素计划DC-DC做到5-6kW。目前DC-DC带载到3.8kW
再次感谢回复帮助！
另外，DC-DC升压稳定基础上（约370V )，能稳定在约4kW，我最近用GDS002驱动板，MOS管用IRFP32N50K，电感约1mH，怎么调试到3kW时（同时DC电压降到360V左右），总是炸MOSFET，有时炸一对，有时四个全坏了，同时，驱动板2113s坏掉一个或两个，是GDS002驱动板2113（2A)驱动不足，是不是换成IX6R11S3（6A）好些，还是MOS管电流选小了？各位大神，路过的，请帮解答一下吧。先谢谢了
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@guoshilei361
另外用的两个EE65变压器初级并联次级串联，推挽升压，MOSFET采用FDA70N20D两个并联，4个MOSFET驱动一个变压器，开关频率用的100kHz。没加LC谐振前，Vds是接近矩形波，但，尖峰很高。接近260V，后来参考老寿先生的一个关于谐振的帖子，又结合一些ZVS、ZCS等谐振软开关文献，在次级加上LC谐振，带载（电阻负载）约3-4kw时，电压尖峰是压下去了，不过Vds波形变成这样了。 目前还没找到合适解决方案。目前想通过用单个大电流MOS管 IXFB120N50P2代替双MOSFET并联，计划做5kw两级式逆变器，考虑效率因素计划DC-DC做到5-6kW。目前DC-DC带载到3.8kW 再次感谢回复帮助！ 另外，DC-DC升压稳定基础上（约370V)，能稳定在约4kW，我最近用GDS002驱动板，MOS管用IRFP32N50K，电感约1mH，怎么调试到3kW时（同时DC电压降到360V左右），总是炸MOSFET，有时炸一对，有时四个全坏了，同时，驱动板2113s坏掉一个或两个，是GDS002驱动板2113（2A)驱动不足，是不是换成IX6R11S3（6A）好些，还是MOS管电流选小了？各位大神，路过的，请帮解答一下吧。先谢谢了
做3KW以上的逆变器（如果输入电压是24以上）建议用全桥驱动，我现在用推挽做5KW的逆变器，用了6个EC49的变压器，遇到了很多头痛的问题，开机炸MOS管。变压器越多越难调试，用全桥输出功率大，用的变压器个数会少一些。
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