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辐射30M--50MHZ超,如何解决,求助,有变压器图

辐射30M--50MHZ超,如何解决,求助,有变压器图

12V1A电源,EF20变压器,骨架初级侧只有4个PIN 无法采用三明治绕法,传导很好,水平辐射也很好,就是垂直辐射在30---50MHZ的地方超了8DB.  用了很多方法如下:
1.  Y电容位置改变
2.  输出二极管串磁珠
3.  DC线加磁环
均无明显效果.
个人分析为共模躁声,请DX们帮忙解决一下,谢谢.

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LV.6

2

2007-03-31 10:21

补充一下变压器参数:
NP:0.25  /121T
NS:0.55  15T
NB: 0.25  18T

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LV.1

3

2007-04-28 08:05

@hosion

补充一下变压器参数:NP:0.25 /121TNS:0.55 15TNB:0.25 18T

可以采用三明治繞,我也正遇到這個問題,30~50M之間超出8~10dB, 是否跟初次功率地有很大關系.

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LV.5

4

2007-04-28 11:03

@simon_m

可以采用三明治繞,我也正遇到這個問題,30~50M之間超出8~10dB,是否跟初次功率地有很大關系.

交流电源地线是不是次级地连接了?

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LV.4

5

2007-04-28 11:46

EF20D的磁芯,你应该还有空间,在每一组绕组间加屏蔽铜皮,成品在加铜皮试一下.NB反馈也对EMI有影响的.还有在Y电容次级一脚串磁株.

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LV.4

6

2007-04-28 11:47

@hjp21cn

交流电源地线是不是次级地连接了?

难道不应该连接吗?

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LV.4

7

2007-04-28 13:22

@yaoyong887223

EF20D的磁芯,你应该还有空间,在每一组绕组间加屏蔽铜皮,成品在加铜皮试一下.NB反馈也对EMI有影响的.还有在Y电容次级一脚串磁株.

在变压器最外层加铜皮屏蔽,将铜皮连接到初级地.铜皮要完全覆盖气隙.试试看.

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LV.6

8

2007-04-29 14:32

@copper

在变压器最外层加铜皮屏蔽,将铜皮连接到初级地.铜皮要完全覆盖气隙.试试看.

一个变压器加3个铜皮的方式连试都没试过!试了也白试!这种变压器太难生产了,公司里不考虑用这种结构的变压器.
只能在绕法,参数,LAYOUT上想办法.
对于30--35MHZ的垂直辐射,最大的原因是MOS管关断速度过快引起的,对于集成MOS的IC来说,还真不知道该如何去解决

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LV.4

9

2007-04-29 15:12

@hosion

一个变压器加3个铜皮的方式连试都没试过!试了也白试!这种变压器太难生产了,公司里不考虑用这种结构的变压器.只能在绕法,参数,LAYOUT上想办法.对于30--35MHZ的垂直辐射,最大的原因是MOS管关断速度过快引起的,对于集成MOS的IC来说,还真不知道该如何去解决

改变RCD参数试试.

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LV.4

10

2007-04-29 16:37

上傳你PCB Layout給大伙看看說不定會解決方案.

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LV.5

11

2008-05-19 09:09

将次级反绕试一下!

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12

2012-04-24 12:42

应该早就解决了吧？？？

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