功率封装。该单芯片解决方案提供了双正激转äHiperTFS系列器件同时将高功率双正激转换器和一个中等功率反激（待机）转换器集成到单个超薄eSIP 换器和反激转换器控制器、高压端和低压端驱动器、所有三个高压功率MOSFET，省去了转换器所需的高成本外部脉冲变压器。该器件非常适合同时需要最高功 率为414 W的主电源转换器（双正激）和最高功率为20 W的待机电源转换器（反激）的高功率应用。HiperTFS器件具备Power Integrations的整套标准保护功能，例如集成软启动、故障及过载保护、迟滞热关断等。HiperTFS采用先进的功率封装技术，可简化双开关正 激拓扑结构的布板、安装及散热管理，同时在单个紧凑封装中具有极高的功率能力。该器件可在宽输入电压范围内工作，并且可用于HiperPFS等功率因数校 正级之后。
主要优势
双管正激主电源和反激待机电源的单芯片解决方案
集成度高，可缩小电源设计的外形尺寸并提高其功率密度
集成了控制、栅极驱动和三个高压功率MOSFET
电平位移技术省去了脉冲变压器
保护功能包括：欠压保护(UV)、过压保护(OV)、过热保护(OTP)、过流保护(OCP)和短路保护(SCP)
变压器复位控制
防止变压器在任何条件下出现饱和
允许以 >50%的占空比工作
降低初级侧RMS电流和导通损耗
待机电源提供内置的过载功率补偿
采用超薄封装，总输出功率最高可达434 W
