好长时间没做电源了，最近换了个工作，一个5V10A的电源，纹波如图，我怎么抑制都没有很好的压下尖刺；
1. 输出换电容， PI型滤波 ，最后加了个T12的共模绿环，输出并接PF nF级别的电容，更换Y1电容， 稍微有效果的就是 T12的绿环可以压一些峰值杂波下来。
2. MOS的DS 并接56--100pF/1KV的电容， 可以有些效果， 变压器外包屏蔽可以有些效果，RCD吸收调整，输出二极管RC调整也进行了，没很好的效果。
3. 最后修改MOS的驱动电阻，加大到150R后 MOS的上升下降沿都有400nS---800nS，效果明显，纹波可以下降。
4.最后就差磁珠没用物料，没有试验。
请问各位大侠，如何看待此尖刺。 IC是 NE1102E MOS 8N60 肖特基 30A60V的， 测试了DS波型和纹波对比，干扰同步，是在漏感峰值那个地方。
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各位大侠，问题有了进展。 NE1102E的介绍说是它的驱动能力很强，和二极管并接的电阻可以用到150R，我放的是100R，另外一个是4.7R，但是最主要的一个改动是我把MOS的GS的放电电阻由10K 1206 的改为了5.1K 1206的，这一个改动效果很明显，纹波在低压100V输入的时候是70mV-80mV, 在高压220V的时候是90mV-105mV，基本可以控制在100mV以内, 不知道大家对此调整做何看法？ 用5.1K电阻应该不会有什么问题吧？
如果什么都不改，NE1102E直接用OB2273换上去，纹波会减小30mV 的样子，问题何在？ 但是我不用2273，备料用的是1102.
