BP3315, 集成2A/650V MOSFET ,应用全电压<7W QQ 2892715427 LED驱动设计
BP3319, 外驱动MOSFET,功率更大,使用更灵活
BP3318, 外驱动MOSFET,带PWM调光功能,以及过温度保护编程功能
几个重要参数的选取系统最低工作频率:
建议选取在40~50KHz(满载最低工作频率出现在最低输入电压的波峰处),过高的工作频率会让PF值变差,过低的工作频率则需要更大的变压器或者
更多的原边圈数来保证变压器不饱和要保证在最低输入电压时的最大导通时间不要超过20uS较低的工作频率,可以获得更好的负载和线性调整率
反射电压: 建议选取在80~110V,在保证MOS/输出整流管耐压的条件下,可适当选取略大的反射电压以获得更好的PF/THD,建议占空比不要大于0.5
最大磁通密度: 建议选取<0.3T,因系统会在最低输入电压的波峰处达到最大峰值电流,在某些极端的应用场合可以适当加大Bm,获得更好的性价比
COMP Pin 设计COMP 电容要紧靠Pin脚,并以尽量短的线接入地线COMP 电容建议取值为1uF ,以保证环路稳定电容值越大PF值越好,但环路速度会变慢电容取值对启动影响不大
VCC电压建议满载时设计在16V左右,较低的VCC可以获得更好的辐射特性在辅助绕组供电回路中,建议串联一个电阻,减小由开关噪声引起的VCC尖峰在完成相关设计后,要注意验证在满载启动过程中,VCC电压不要掉到低于8V且要留有余量, 不要发生二次启动
FB Pin 设计FB上下电阻之间的连接铜箔一定要短,且最好靠近芯片的FB Pin脚,该点需要远离开关节点,防止受到干扰FB 下电阻最好以尽量短的线连接到地FB 下电阻取值建议在20K左右,过大的电阻会让FB更容易受到干扰,发生OVP的误动作FB正常工作电压建议设置在1V左右,过小会导致开路电压过高(FB OVP阈值为1.6V)在完成相关设计后,可以适当调整FB上拉电阻,获得更好的线性调整率,FB电阻越小,补偿量越大
CS Pin 设计CS电阻要以尽量短的线,连接于IC 的GND Pin过长的连接会导致输出电流调整率变差
Drain/GND Pin 设计Drian的铜箔可以适当加大以加强散热,其加大的部分最好不要超过Pin 7的投影部分过大的Drain部分的铜箔会让辐射变差在画SOP8封装时,应将6,7两个Pin去掉,以提供更大的爬电距离(实测将第6Pin焊接于铜箔上,温度仅下降1℃)