SD6602S 士兰微全压9瓦方案 QQ 2892715427 技术 支持
用于90Vac~265Vac 输入电压、9W 原边反馈控制模式，无需环路补偿，无需光耦、TL431、变压器辅助绕组等元 件，节约了系统成本和体积。
内部集成600V 功率MOS 开关
MOS电路操作注意事项：
静电在很多地方都会产生，采取下面的预防措施，可以有效防止MOS 电路由于受静电放电影响而引起的损坏：
操作人员要通过防静电腕带接地。
设备外壳必须接地。
装配过程中使用的工具必须接地。
必须采用导体包装或抗静电材料包装或运输。
SD660X 内置650V 高压 MOS 管，适用于输出 功率 15W 以下，其中SD6601S，输出功率为 1-5W，SOP-7 封装。 2. SD660X 控制芯片内部框图 SD660X 内部包括过压保护、过流保护、过温保护、原边逐周期限流保护、CS 开路/短路保护等功能电路。
根据整机系统的输出功率、PCB 尺寸大小等参数，选择适当大小的磁芯， 对于 5W 以下的输出功率，一般可以选 择 EE10、EPC13、EE13 等型号磁芯。
PCB 布线 1).尽量减小功率环路的面积，减少 EMI 辐射； 2).尽量加大 IC 的DRAIN 引脚覆铜面积，用于增加芯片散热面积；但DRAIN 太大也会影响 EMI 辐射，请做的适当 考虑； 3).尽量将VCC 的旁路电容靠近芯片引脚； 4).尽量减小采样电阻的地线与功率地的长度
