全桥LLC，驱动由驱动变压器产生，C1：上管驱动 C2: 下管驱动 都是用差分探头测试
为何上管的驱动和下管有这么大的差异？特别是下管关断时，求解答
死区设置不合理，硬开关严重！
死区400ns，应该是够的。
驱动变压器副边两个绕组分别驱动上下管，下管驱动正常，上管不知道为和会在下管关断时出这么高的脉冲，而下管就没有这个情形。
0电压丢了，示波器显示开关频率高了，导通时间是4微秒，这里死区时间0,4微秒，其实，由于上升时间关系，实际占空比更小了，那么，占空比低于0,40了，可能还并联的电容了吧，这个时候，产生了非0电压导通了，容性开关的谐波非常大，就是这个样子了，那么，芯片的占空比必须达到0,45，这里估计 偏小了一些了，提高占空比吧，就可以产生0电压开通了。
当然，输入电压偏低了吧，如果电压高了一些的励磁电流大了一些，就容易产生0电压开通了。
