MOS管DS间增加330pF电容 瞬间容易死机的原因

330pF电容，MOSFET打开的瞬间，电容放电，MOSFET的电流应该超过了“安全工作区”。

所以挂了。

但在一些EMI对策时，会在DS并电容

这样有没有好的措施防止炸机？

要这么大的电容的话，就在电容上串联2个电阻，能抑制尖峰，MOSTET也没有那么容易炸，要不就换小的电容，把MOSFET的驱动电阻加大。MOSFET的D极套上磁珠。