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为什么 双管FLYBACK VDS 上管 下管 电压不一样

调试一款高压输入大约DC 1000V，电路是双管FLYBACK，但在调试的过程中发现关断时刻，上下管的电压不一样，有很大的差别。

理论分析应该是一样的，但是实际测试不一样。降低输入电压至DC 500V，上下管电压波形是一样的。

但是输入电压升高至DC 1000V就不一样了。

做过双管FLYBACK的高手们，帮忙分析一下为什么？

实测波形如下：CH1是上管的电压波形，CH2是下管的电压波形。测试用的是隔离探头，测试点分别是上管下管的DS。测试方法应该正确。

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sky_lu
LV.3
2
2016-11-01 17:06
测试地取不一样，测试结果出来也是不一样！
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PD123
LV.1
3
2016-11-01 17:53
@sky_lu
测试地取不一样，测试结果出来也是不一样！
测试的点分别是下管、上管的DS。测试方法应该是正确的。
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ymyangyong
4
2016-11-01 21:11
@sky_lu
测试地取不一样，测试结果出来也是不一样！
驱动波形相差大不大？
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juntion
5
2016-11-01 21:28

這有什麼好期怪?

以單管反激  VDS=VP+VP'

雙管一上一下上管S與下管D一個承受VP, 一個承受VP'其中，VP'為二次電流流同後反潰到變壓器兩端，而變壓器兩端就是上管的VDS...... 

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PD123
LV.1
6
2016-11-02 08:12
@juntion
這有什麼好期怪?以單管反激 VDS=VP+VP'雙管一上一下上管S與下管D一個承受VP,一個承受VP'其中，VP'為二次電流流同後反潰到變壓器兩端，而變壓器兩端就是上管的VDS...... 

看你的意思，VP'是变比N*（Vo+Vf）吗?VP是输入电压？ 如果是这样的话，你说的单管反激应该是正确的。

但是你说的双管反激，就看不懂了。

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PD123
LV.1
7
2016-11-02 08:17
@ymyangyong
驱动波形相差大不大？

你好，上管用的变压器驱动，下管是直接驱动的。驱动波形是稍微有差别的。把频率调高，上管与下管的电压的差别变小了。

能帮忙分析一下原理吗？谢谢。

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juntion
8
2016-11-02 10:59
@PD123
看你的意思，VP'是变比N*（Vo+Vf）吗?VP是输入电压？如果是这样的话，你说的单管反激应该是正确的。但是你说的双管反激，就看不懂了。

你是用哪一種拓墣?

1.

2.

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juntion
9
2016-11-02 11:13
@juntion
你是用哪一種拓墣?1.[图片]2.[图片]

上圖: VDS1= Vin  VDS2= VP' =NP*(VS+Vf) / Ns

下圖: VDS1, VDS2  =( Vni + n*Vo) / 2   n=一次與二次圈比

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PD123
LV.1
10
2016-11-02 11:32
@juntion
上圖:VDS1=Vin VDS2=VP'=NP*(VS+Vf)/Ns下圖:VDS1,VDS2 =(Vni+n*Vo)/2 n=一次與二次圈比
用的电路是下图
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juntion
11
2016-11-02 11:56
@PD123
用的电路是下图
如果是下圖, 查一下MOSFET驅動與那兩顆飛輪二極體的性..
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841625668
LV.1
12
2019-12-10 17:00
MOS的寄生参数和电路中的寄生参数引起，加RCD吸收电路，有效果的
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