PMOS管防反电路，压降异常

顶顶

把D2拿掉, R1換成1K, 再試試.....

不過你這結構短路會燒MOS, 建議在D-S兩端並聯一顆蕭特基二極體.......

我这个输入范围是10-55v,把D2去了，就不能达到这么宽的输入范围了。DS端为什么要并联一个肖特基二极管？

同樣問題.....

看這一貼

http://www.dianyuan.com/bbs/1538602.html

把Q4那個路徑去掉, 輸入輸出反過來裝.......

Juntion  你好：

谢谢你的回复。

1.把 R1更换为小阻值，增大|Vgs|电压，较小MOS管的压降。这个方法是的可行的， 但是也带来的R1功耗增大的现象，按照你推荐的电路

需要把下图中Q1的 D和s极互换，不知道我理解的对否。

2.关于我提供的电路图，我的疑惑是，为什么MOS关有这么大的压降，按照最大导通电阻，Rds（on）=0.1ohm，流过1a电流，应该哟0.1V压降左右啊，为什么有0.8V压降，莫非是PMOs体二极管的压降？

已经被添加到社区经典图库喽
http://www.dianyuan.com/bbs/classic/

呵, 一開始不知道你電壓範圍很寬, 若以你目前所PO的電路圖, 因為S極為輸出, 且G極分壓, 所以其壓差對於VGS而言與你的負載有關係, 當負載端電壓拉低, 你的VGS將不足....

以現有分析, 一開始送電後, 只有Body Diode通, G-S電壓分一半, 所以開機有載情況下G-S可能分不到4.5V

雖然比SPEC上標示的還高, 但你必須去看 RDSon VS VGS曲線, 因為Spec 上測定的Vth條件不一定跟你狀況一樣..

你那情形相當於Mosfet沒通.......

所以只要你將R1電阻值改低, 保證MOSFET可以導通, 會短路Body Diode, 但是電壓高就沒辦法了...

另一貼的電路, 是要在7V啟動, 不過應該是做過壓保護, 所以給它加Q4, 你只做反接, 只需要短路Body Diode, 

所以就將電路的輸入(Vin)接你的輸出, 電路的輸出(Vout), 接你的輸入就可以了....

這電路主要是有恆流源讓Mosfet保持導通..........

感谢Juntion版主的回复

1、关于上面的问题，补充一下输入的条件设定，输入电压范围是10v-50v，稳压管使用的是15v稳压管，开始的想法是在低于稳压管的电压时，依靠电阻分压来开启PMOS.当大于稳压管的输入电压范围时，稳压管开始工作，稳压管导通电流增大，通过R1电流增大，VR1增大，来保证VGS电压在15v左右，保证不超过VGS(th)【VGS小于±25v】。以上是我的设想。

下图是VGS与RDS(ON)的关系。从下图VGS=5V时，导通电阻应该小于0.1ohm才对。

所以你那10V輸入時, 抽載剛好使電壓在VGS的臨界點, 輸入電壓再上升就正常了不是麼?

可能是的，我去调整一下试一试。

刚测了几个参数奇怪。

供电输入电压： 供电电流     |VGS|    输出电压

  10V                1.318A       6.9v       9.21 

   13                  0.99          8.91       12.23

   20                  0.6415       13.57     19.24

   30                0.4324         16.07      29.25

 输出电压压降差别不大啊

你那是什麼怪MOSFET.....要不要換廠牌看看.......

Fairchild 的FDMC86139

Fairchild 應該不會這樣阿, 那你這樣

1). 直接量MOSFET引腳...

2). 用示波器看看Mos_S與Mos_G電壓, 是不是震盪了......

3). 輸入10V, 直接把Mos_G接地看看.......

看哪一項出問題..........

用示波器测试了，未发现震荡

那你用這看看.....

测试点是点到mos两个引脚上吗？线路上的阻抗也会有压降

点到了，开始也怀疑是线路上的阻抗，后来用万用表测试MOS的输入，输出引脚上，也是一样

输入范围太大了，低压时，在PMOS两端必然存在压降，随着电流增大，PMOS发热严重，压降更加严重。

你好，感谢你的回复，输入范围是比较宽，低压时，我的PMOS管的|VGS|大于芯片要求的最大开机电压，达到6V,此时PMOS为何还是为完全开通，压降有0.75V,这个是让人疑惑的地方。

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