Power Integrations推出HiperPFS-4功率因数校正IC,可使550 W以内PFC设计的效率达到98%
Power Integrations今日推出HiperPFS™-4系列功率因数校正(PFC) IC。 新器件系列适合要求在满载及轻载下均提供优异效率及功率因数性能的应用。 HiperPFS-4器件采用紧凑型电气隔离的可散热封装,内部同时集成了一个适合305 VAC输入的600 V MOSFET和一个高效率变频CCM PFC控制器。 该IC系列不仅能提供高功率因数和低THD,而且还可在非常宽的输出负载范围内始终实现高效率,使OEM厂商符合严格的80 PLUS® Platinum及Titanium级电源标准。
HiperPFS-4
PFC Controller with Integrated 600 V MOSFET Optimized for High PF and Efficiency Across Load Range
数据手册:
hiperpfs-4_family_datasheet.pdf
产品详情:
HiperPFS™-4器件将一个连续导通模式(CCM)升压PFC控制器、栅极驱动器和600 V功率MOSFET集成在一个(接地引脚内部相连)薄型功率封装中。HiperPFS-4器件可省去外部电流检测电阻,从而避免与其相关的功率损耗。其创新的控制技术,可在整个输出负载、输入电压和输入工频周期内调整开关频率。
这项控制技术能够提高整个负载范围内的效率,特别是轻载条件下的效率。此外,由于其很宽的带宽频谱分布效应,可以降低对EMI滤波的要求。HiperPFS-4采用先进的数字技术来实现输入电压监测、输入电压前馈调节和功率因数改善,同时核心控制器采用模拟技术来维持极低的空载功耗。
HiperPFS-4还具有一个集成式非线性误差放大器,可改善负载动态响应。用户除了可设定的电源备妥(PG)信号外,还可以选择功率限制功能。HiperPFS-4具备Power Integrations的整套标准保护功能,例如欠压保护、过压保护、电压缓升/跌落保护和迟滞热关断等。此外,HiperPFS-4还提供功率MOSFET逐周期限流和安全工作区(SOA)保护、限制输出功率的过载保护以及引脚到引脚短路保护。
产品特色
- 内部集成了600 V MOSFET
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在整个负载范围内均具有高效率及高功率因数
- 从10%负载至100%负载效率均>95%
- 在230 VAC输入下空载功耗<60 mW
- 在20%负载下PF >0.95
- 满足EN61000-3-2 Class C和D标准
- 无需绝缘垫片/导热散热片
- 数字式输入电压峰值检测 - 即使在不间断电源(UPS)或发电机供电时产生的电压出现畸变情况下仍可提供可靠性能
- 数字式功率因数增强电路可补偿EMI滤波器和整流桥产生的畸变,因而可以在高压输入、20%负载条件下提供0.95以上的功率因数
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在整个输入电压范围内以及每个工频周期其工作频率都进行调整
- 在>60kHz的频率范围内进行扩频,可简化EMI滤波电路
- 减小升压电感
- 在通用输入电压应用中可提供450 W的峰值输出功率,在仅高输入电压应用中可提供610 W的峰值输出功率
- 保护特性包括:欠压锁定(UVLO)保护、欠压(UV)保护、过压(OV)保护、过温保护(OTP)、电压缓升/跌落保护、逐周期限流以及过载功率限制保护
- 可耐受305 VA稳态和410 VAC异常输入电压
产品材料:
设计范例:
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