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开关电源5V改12V

我现在想把一个5V 1A的开关电源改成12V 0.4A的话我直接把变压器次级绕组按原来5V的现在变成12V,其他参数不变的话可否实现?
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2017-05-08 10:42
注意下输出二极管的反向耐压、输出电容的耐压还有采样分压电阻调正一下,其它的好像没什么了。
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2017-05-08 11:21
@boy59
注意下输出二极管的反向耐压、输出电容的耐压还有采样分压电阻调正一下,其它的好像没什么了。
輔助繞組也要改, 不然VCC供電會超高, 最好量一下波形, 可能副邊431補償電容須修正.....
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2017-05-08 11:50
@juntion
輔助繞組也要改,不然VCC供電會超高,最好量一下波形,可能副邊431補償電容須修正.....
只改次级绕组会影响VCC绕组吗?反馈部分如果只改下分压电阻(接地的那个)对环路不会造成影响。
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2017-05-08 14:01
@juntion
輔助繞組也要改,不然VCC供電會超高,最好量一下波形,可能副邊431補償電容須修正.....
改次级的话辅助绕组也要改吗?辅助绕组应该也是靠初级绕组耦合的吧,所以应该不用改没关系吧
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2017-05-08 16:21
@juntion
輔助繞組也要改,不然VCC供電會超高,最好量一下波形,可能副邊431補償電容須修正.....
辅助绕组可以不改。431周边元件要改一下。
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2017-05-08 17:54
@ymyangyong
辅助绕组可以不改。431周边元件要改一下。
那輔助就不要改囉, 反正12V滿載時, 輔助電壓很高就用慢管把他壓下來就好......
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2017-05-08 20:18
@juntion
那輔助就不要改囉,反正12V滿載時,輔助電壓很高就用慢管把他壓下來就好......
好的
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guang卢
LV.7
9
2017-05-08 20:54
注意耐压器件!!
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2017-05-08 21:28
@ymyangyong
辅助绕组可以不改。431周边元件要改一下。

VCC绕组要改,不改的话,VCC肯定会很高,除非有线性稳压电路


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2017-05-09 13:29
@edie87@163.com
VCC绕组要改,不改的话,VCC肯定会很高,除非有线性稳压电路

有概念, 不錯.....

    現在的PWM, 不可以用384x的觀點來看, 因為384x是高啟動電流, 空載沒有Burst Model, 重載IC耗電大

所以VCC不會隨便亂飄, 因為重載VCC升高剛好是Driver 驅動大, 相形之下等於VCC假負載變大所以VCC不會變高

再者, 因為進入OPP模式時, VCC若太高, 通常低壓(5V或3.3V)很難將VCC拉掉, 因此設計時通常會把VCC設計低一點,ˋ再加一點假負載, 用效率換穩定, 或在SPEC上註明min Load.......

     現在的PWM都很省電, 空載要求損耗低, 因此進入空載時會有Burst Model, 使損耗變小, 但是當進入Burst後, Vcc因為不足, 所以空載就跳動進入打嗝, 所以須將Vcc提高, 以5V為例, 空載需要穩定, 則VCC保持在12V工作狀態, 當你負邊改為12V, 則輔助也會多出12V好幾圈, 才可以保持12V空載不打嗝, 此時當12V電流上升, 輔助電壓飄動率當然會比5V高, 這應該算PWM的優點, 因為省電, 但也算缺點, 不過還好的是, 當OPP頂到後, 輸出電壓往下掉, 只要光耦不導通使Vfb 電位拉高, 馬上進入打嗝模式...........

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2017-05-09 15:46
@juntion
有概念,不錯.....  現在的PWM,不可以用384x的觀點來看,因為384x是高啟動電流,空載沒有BurstModel,重載IC耗電大所以VCC不會隨便亂飄,因為重載VCC升高剛好是Driver驅動大,相形之下等於VCC假負載變大所以VCC不會變高再者,因為進入OPP模式時,VCC若太高,通常低壓(5V或3.3V)很難將VCC拉掉,因此設計時通常會把VCC設計低一點,ˋ再加一點假負載,用效率換穩定,或在SPEC上註明minLoad.......   現在的PWM都很省電,空載要求損耗低,因此進入空載時會有BurstModel,使損耗變小,但是當進入Burst後,Vcc因為不足,所以空載就跳動進入打嗝,所以須將Vcc提高,以5V為例,空載需要穩定,則VCC保持在12V工作狀態,當你負邊改為12V,則輔助也會多出12V好幾圈,才可以保持12V空載不打嗝,此時當12V電流上升,輔助電壓飄動率當然會比5V高,這應該算PWM的優點,因為省電,但也算缺點,不過還好的是,當OPP頂到後,輸出電壓往下掉,只要光耦不導通使Vfb電位拉高,馬上進入打嗝模式...........
那按您的意思要不要辅助绕组的匝数?
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2017-05-09 16:26
@juntion
有概念,不錯.....  現在的PWM,不可以用384x的觀點來看,因為384x是高啟動電流,空載沒有BurstModel,重載IC耗電大所以VCC不會隨便亂飄,因為重載VCC升高剛好是Driver驅動大,相形之下等於VCC假負載變大所以VCC不會變高再者,因為進入OPP模式時,VCC若太高,通常低壓(5V或3.3V)很難將VCC拉掉,因此設計時通常會把VCC設計低一點,ˋ再加一點假負載,用效率換穩定,或在SPEC上註明minLoad.......   現在的PWM都很省電,空載要求損耗低,因此進入空載時會有BurstModel,使損耗變小,但是當進入Burst後,Vcc因為不足,所以空載就跳動進入打嗝,所以須將Vcc提高,以5V為例,空載需要穩定,則VCC保持在12V工作狀態,當你負邊改為12V,則輔助也會多出12V好幾圈,才可以保持12V空載不打嗝,此時當12V電流上升,輔助電壓飄動率當然會比5V高,這應該算PWM的優點,因為省電,但也算缺點,不過還好的是,當OPP頂到後,輸出電壓往下掉,只要光耦不導通使Vfb電位拉高,馬上進入打嗝模式...........
可能大家误解了。如果次级绕组匝数相应更改了的话,辅助绕组可以不改。
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2017-05-09 16:50
@那些逝去的
那按您的意思要不要辅助绕组的匝数?
你就看副邊圈數, 與輔助的圈數, 如果1:1情況下空載會打嗝, 輔助加一圈......
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kaoloo
LV.7
15
2017-05-10 11:49

总结一下,变压器的匝比要改,应该不是很难,以前5V是多少圈,算出每圈的电压是多少V?再用12V的去除以以前的每圈的电压,就可以得到大概的圈数额的。vdd的电压应该也要做相应的更改,每一圈的电压知道了,看一下IC的规格书,去一个比较折中的vdd电压,再除以每圈的电压,就可以算出圈数了的。

IC的限流电阻部分看情况,要做适当的变化。输出电压的分压电阻也要变化,输出输出肖特基的耐压也要考虑一下。拙见。可以参考。

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A1300811688
LV.4
16
2017-05-11 22:51
@juntion
有概念,不錯.....  現在的PWM,不可以用384x的觀點來看,因為384x是高啟動電流,空載沒有BurstModel,重載IC耗電大所以VCC不會隨便亂飄,因為重載VCC升高剛好是Driver驅動大,相形之下等於VCC假負載變大所以VCC不會變高再者,因為進入OPP模式時,VCC若太高,通常低壓(5V或3.3V)很難將VCC拉掉,因此設計時通常會把VCC設計低一點,ˋ再加一點假負載,用效率換穩定,或在SPEC上註明minLoad.......   現在的PWM都很省電,空載要求損耗低,因此進入空載時會有BurstModel,使損耗變小,但是當進入Burst後,Vcc因為不足,所以空載就跳動進入打嗝,所以須將Vcc提高,以5V為例,空載需要穩定,則VCC保持在12V工作狀態,當你負邊改為12V,則輔助也會多出12V好幾圈,才可以保持12V空載不打嗝,此時當12V電流上升,輔助電壓飄動率當然會比5V高,這應該算PWM的優點,因為省電,但也算缺點,不過還好的是,當OPP頂到後,輸出電壓往下掉,只要光耦不導通使Vfb電位拉高,馬上進入打嗝模式...........
juntion老师写得看不懂呢,很多专业词汇第一次听说..........................
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2017-05-12 12:21
@A1300811688
juntion老师写得看不懂呢,很多专业词汇第一次听说..........................[图片]

這是現在PWM IC為了更省電, 與空載或輕載增加效率所發展出來的幾個模式

Burst Model

ON週期縮到最小, 只在特定頻率點出現SW波形, MOSFET可以完全ON, 但只要補能量維持輸出就好, 適合在空載

模式

Velley Skip 或稱Cycle Skip

週期展開, 且進入高週期連續, 其中由VCC高點偵測把多於能量抑制, 此模式適合在輕載模式, 波形上為VCC, 下為

SW

QR

保持在BCM模式, 此時頻率會隨負載變化, 這種適合於中載或滿載, 但真正適合滿載為CCM, 但CCM峰值較高, QR較低......

還有一些沒啥用的模式就不提了..

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