肖特基温度高

加大散热面积试过没有？

用的是贴片1045，加大了也不可以，今天我用同步整流，效率是89%，两个小时同步整流IC就烧了

就是不明白肖特基温度怎么会那么高，按说5V4A的用一个1045就可以了，现在我用两个肖特基还是会温度高到保护。

你没有测过肖特基的温度???。。

5V4A是分水岭。。。一般用肖特基20A45V超低压降都不一定可以过了，认证的温度。。。。

1045做5V2A温度都能到80度以上

要么加散热片，要么换同步整流

其实可以考虑用PSR的IC，这样次级同步整流好弄

不知道你使用的是不是Low Vf 蕭特基二極體, 若是, 那換一下型號.....

Low Vf 二極體有分

純Low V , VF低但IR值會較高(二極體特性沒辦法)

Low IR , 但VF會略高些, 但VF與流過但流成對數比, 所以單一顆10A使用在5A之前VF還是會很低

另一種是Ultra Low V, 就是IR低, VF也低, 這要IC製程的二極體才有喔, 就類似達爾(Diodes)或 節能(PFC)的Low V二極體, ST 那一類屬PN接面的就沒分...

你這5V/4A理論上兩顆TO277並聯是夠, 但量一下VD兩端電壓(副邊Vton+Vo)有沒有超過二極體耐壓, 容於量不夠

就必須抓大一點, 不過像你這熱當機情形, 大多是IR值太大造成, 所以你可以跟廠商要上述三種來試, 有些Item只分

Low V與Ultra Low V兩種, 那你只有選擇Ultra Low V

至於同步整流, 理論上不可能燒IC, 只會燒MOSFET

兩種接法: MOSFET從地整流, IC由輸出供電, 則MOSFET你必須選擇" 邏輯位準"有就是Vth最高12V最低1.5V那種

              MOSFET從上橋整流, 必須多一個繞組, 穩壓後給IC使用

前者結構簡單, 但EMI較差, 後者須多一個繞組, 但EMI較好, 主要是因為前者的" 地" 被切開了.....

參考看看囉....

刚才查看了一下1045的数据手册，在4A的情况下，它的单管导通压降约为0.5V，这样，因为导通压降和电流引起的在管子上损耗的功率为2W，全部以热能形式散发。当然，你说的发热情况下也存在10mA左右的漏电流，但这并不是主要的热量来源。在不使用同步整流的情况下可以尝试更大的散热器，这个问题多半就能解决。如果要使用同步整流，那就更好咯！

4A的电流，你的同步是内置还是外置mos的呢？？ 并不是说不可以用肖特基，如果可以，试试看用220封装的 加大散热面积  不建议277封装的，如果277封装在它的周边加或是裸锡，那么要考虑锡的温度或是277两边加的锡要均匀，要不隐患就来了~！~！

4建议用外挂mos如果成本 空间允许。89的效率是板端吧 你的空间很小吗？？测试是在环温多少下测试的呢？？

2.5倍的计算，并不是说可以不可以来衡量的。可靠性  温升 会告诉你结果，然而也不并不一定是安数越大就越好，也要考虑VF，漏电流是吧。

也要考虑散热面积很空间是吧？你这个温度是它本身的温度还是热传导过来的呢（热分布不均匀导致）~