早上起来没事,花了半小时把脑子里的整理一下,定性说一点我的经验.水平有限,必有缺失,更可能有错误,自己判断.出发点肯定不想害你,请多多包涵.
批量看一致性,就不说了,就说说单个了.
镇流器要求:
1． 镇流器工作电压范围很宽,160-260V
2． 镇流器工作温度范围很宽,温度范围心里要有个底.
3． 镇流器测试指标有条件,也就是说只在一个点,所以其它情况下,主要保证可靠性.
4． 镇流器要启动,磁导率低温要考虑,不启动?高温可靠性<有会不会失磁(居里点)>
磁环有几个参数要考虑:
1． 初始磁导率随温度变化
2． 饱和磁通密度随温度变化,居里点
3． 磁导率随H(电流有关)的变化(温度)厂家说明书只有一个温度点.
4． 磁滞回线-书上尽量要采用采用矩形,但目前就这几种材料,实际上好象没觉得(有经验的补充)
5． 频率响应和损耗好象不明显影响(有经验请补充)
6．
磁环脉冲变压器输出波形
1． 初级圈数(镇流器输出电流)不一样,次级的脉冲峰值合宽度不一样.圈数多或电流大,脉尖就大,上升快,脉宽小.
2． 温度变化时,次级输出,居里电低的会比居里点高的变化快.
3． 温度升高,如果磁导率升高,脉冲峰值增加,宽度降低
4． 次级负载增加,脉冲峰值降低,脉宽增加.
影响三极管温升
1． 三极管是电流驱动型管子,功耗主要有(开-通-关)产生,主要会考虑关损耗,用ce电容使三级管”软”关(三极管有下降时间较大),但这电容也会影响“开”损耗,电没放光,三极管要”开,那“能量“只能三极管吃下了.电容大有利”关”,但要注意低压时的”开”.
2． 次级脉冲作用的时候是IC电流的小部分,而且在较小电流,大电流部分靠储存时间在导通,基极电流是倒流的.
3． 脉冲电流越大,储存时间也越大.下降时间是否一定变大?我感觉有.
驱动电流脉宽脉尖影响三极管温升,所以
当你想用小三极管驱动大灯管时,电压范围又很宽时,会出现:
1． 低压下,ce电容要小,高压下,ce电容要大,
2． 低压下,磁环初级圈数要小,高压下较随便.
3． 在保证高压时低温升,低压增加be电容延迟导通,降低开功耗(也有降脉尖,增脉宽效果).
4． 用be反向二级管增加次级负载,降低脉尖,增加脉宽.但不太影响开启点.
5． 利用1N4007结电容较大,既有减脉尖,增脉宽的小过,又可延迟开启点.
6． 不能兼顾两头时,增加灯管电容
7． 灯管电容太大,影响启动电压,增加两小三极管,降低关时间,保证高电压损耗.减小ce电容满足低压端.2C+3D或4D电路很明显.
