功率MOS代二极管整流草案,请大家讨论

看了一会儿,发现交换时刻有问题!

呵呵,
不知琢磨这东东有没意义???

不搞同步的话,还是用二极管来整流好了!呵呵!

还不如把GS短接来得省事.

看看这两个图有无问题?
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你的mosfet不会导通

哪一个?是左图还是右图,还是两个都不不导通?

右边的好象可以啊,左边的好象看不懂,谁解释一下

C1和D1组成自举升压,为MOS提供驱动电源,不知行不?

从原理图上看,首先由于mos管gs耐压限制,该结构所能承受的反压有限,否则开通时电容上的电压会损坏器件;mos开通驱动原理上属于电荷保持型驱动方式,原理上从反向截至过渡到正向开通很容易,但从正向开通到反向关断就不那么容易了,反向短路电流很大.

感谢zpower

1、Ns电压上负下正时,对应初级开关管导通状态,整流场管Vds所承受的电压是Uout + Uin/n,C1电压是该值扣除D1的正向导通电压,只要选择合适的MOS,DS耐压应该没问题;

2、有的场管GS有两个稳压管串联保护,如果没有或内部稳压管功耗不够,可以在外面补加两个10V管串联在GS极之间,这样是不是可以解决您说的耐压限制问题?

3、“…从正向开通到反向关断就不那么容易了,反向短路电流很大.”这句我不太理解,能否再进一步解释一下?您的意思是不是说DS导通与截止的状态,会影响G极电容的充放电或Vgs的关断电压?

我觉得你的这两个图应该都可以工作,但最好是用在反激电流非连续方式和低频率如5到6K,且低压输出要不然效率和驱动就都成问题了.

如您第一贴所示,反向时KA间需足够高的电压才能使三极管开通,而此时mos管栅极还处于电荷保持开通状态,而通常mos的RDS电阻很小,因此反向截至需要足够大的短路电流;
如您第5贴所示应用于反激的同步整流,左图原理上是可以的,但实用上由于三极管BE结耐反压能力一般只有5V,容易出现损坏;右图采用自驱,当反激变换器工作于完全能量传递时,同步整流管驱动不能维持,可能会出现振荡.

受教,十分感谢

不好意思,第一贴的图是错的,MOS开通以后就再也不能关断了,除非能识别m欧姆电阻上的小电流方向,我还真想了,用IVC变压器或是Hall什么的,只是过于复杂就没意思了.

您说的对,三极管EB结耐压是个问题.我查了一下三极管手册,VEB0都在4-7V间,最高8V,还有2V的管子.在三极管的EB结上并个二极管,如何?

您说的“完全能量传递状态”是不就是DCM,变压器磁能释放完以后,Ns输出电流降到0A以后发生振荡的情况?这是我没考虑到的,容我再琢磨琢磨,感谢!

再次感谢st.you
您说的是不是与zpower大侠正好相反?
还有,为什么低频使用比较好?