紧急求助各位前辈:节能灯用三极管的正向压降Vbe及其高温变化.
听说节能灯用三极管的正向压降Vbe在三极管的参数中比较重要.但各厂家的产品规格书对此又未论述,因此兄弟在此请教各位,正向压降在常温及高温如何测试,判定其是否合格的一般标准是什么?谢了
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@lrg-2008
是啊!我也很遗憾,但我真的很想知道这个参数对节能灯的重要性在什么地方以及它的具体情况.
关于Vbe,不同的型号(或同型号不同芯片,同芯片不同的封装厂家)其值也不一样,不过Vbe大多在0.6-0.8V之间,相对来说Vbe越小越好!Vbe为负温特性,三极管温度每上升一度Vbe大约下降0.2mv.两只相通的三极管在同一电路中,Vbe压降小的Pc功率必然大过Vbe压降大的,因为Pc功率与热阻Rt相关,Rt=(Tj-Ta)/Pc,Pc=(Tj-Ta)/Rt,(式中Rt为热租,Tj为三极管结温度,Ta为一般指25度,Pc为三极管耗散功率).因此三极管的散热片越大其功率也越大.同时Vbe也反映了三极管生产厂家的封装工艺水平.
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@weiwang
关于Vbe,不同的型号(或同型号不同芯片,同芯片不同的封装厂家)其值也不一样,不过Vbe大多在0.6-0.8V之间,相对来说Vbe越小越好!Vbe为负温特性,三极管温度每上升一度Vbe大约下降0.2mv.两只相通的三极管在同一电路中,Vbe压降小的Pc功率必然大过Vbe压降大的,因为Pc功率与热阻Rt相关,Rt=(Tj-Ta)/Pc,Pc=(Tj-Ta)/Rt,(式中Rt为热租,Tj为三极管结温度,Ta为一般指25度,Pc为三极管耗散功率).因此三极管的散热片越大其功率也越大.同时Vbe也反映了三极管生产厂家的封装工艺水平.
关于Vbe,不同的型号(或同型号不同芯片,同芯片不同的封装厂家)其值也不一样,不过Vbe大多在0.6-0.8V之间,相对来说Vbe越小越好!Vbe为负温特性,三极管温度每上升一度Vbe大约下降0.2mv.两只相同的三极管在同一电路中,Vbe压降小的Pc功率必然大过Vbe压降大的,因为Pc功率与热阻Rt相关,Rt=(Tj-Ta)/Pc,Pc=(Tj-Ta)/Rt,(式中Rt为热租,Tj为三极管结温度,Ta为一般指25度,Pc为三极管耗散功率).因此三极管的散热片越大其功率也越大.同时Vbe也反映了三极管生产厂家的封装工艺水平.
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@weiwang
关于Vbe,不同的型号(或同型号不同芯片,同芯片不同的封装厂家)其值也不一样,不过Vbe大多在0.6-0.8V之间,相对来说Vbe越小越好!Vbe为负温特性,三极管温度每上升一度Vbe大约下降0.2mv.两只相同的三极管在同一电路中,Vbe压降小的Pc功率必然大过Vbe压降大的,因为Pc功率与热阻Rt相关,Rt=(Tj-Ta)/Pc,Pc=(Tj-Ta)/Rt,(式中Rt为热租,Tj为三极管结温度,Ta为一般指25度,Pc为三极管耗散功率).因此三极管的散热片越大其功率也越大.同时Vbe也反映了三极管生产厂家的封装工艺水平.
Vbe压降的测试用UI9600就可以!
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