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紧急求助各位前辈:节能灯用三极管的正向压降Vbe及其高温变化.

听说节能灯用三极管的正向压降Vbe在三极管的参数中比较重要.但各厂家的产品规格书对此又未论述,因此兄弟在此请教各位,正向压降在常温及高温如何测试,判定其是否合格的一般标准是什么?谢了
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2007-05-25 18:56
因为硅管的特性,理论标准为-2mV/度.在结温升高125度时,DVbe为-250mV,不过由于内部结温测量几乎不可能,所以,所比较的一般是一致性,同批次三极管的结温变化范围大体相近即可
此可用浙大的DY2993来测量,伏达的仪器(型号忘了)也可以,不过浙大的要好一点,最早做此测量的仪器就是DY2993,只不知现在有没有更新的型号.以上的仪器均是使用电流来加热功率管.
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lrg-2008
LV.2
3
2007-05-26 09:34
@大梦我未觉
因为硅管的特性,理论标准为-2mV/度.在结温升高125度时,DVbe为-250mV,不过由于内部结温测量几乎不可能,所以,所比较的一般是一致性,同批次三极管的结温变化范围大体相近即可此可用浙大的DY2993来测量,伏达的仪器(型号忘了)也可以,不过浙大的要好一点,最早做此测量的仪器就是DY2993,只不知现在有没有更新的型号.以上的仪器均是使用电流来加热功率管.
谢谢,我司有台DY-2993.可以测此参数,但对于此参数,行业有没有一个比较一致的检验标准,通过测此参数,怎么判断合格,希望各位前辈指教.
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lrg-2008
LV.2
4
2007-06-07 08:35
@lrg-2008
谢谢,我司有台DY-2993.可以测此参数,但对于此参数,行业有没有一个比较一致的检验标准,通过测此参数,怎么判断合格,希望各位前辈指教.
希望三极管生产厂家的朋友出来就这个问题好好给我指教一下,谢谢!同时自已也顶一下.
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lfxz
LV.1
5
2007-06-07 09:21
@lrg-2008
希望三极管生产厂家的朋友出来就这个问题好好给我指教一下,谢谢!同时自已也顶一下.
居然无法关注.......~0~
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lrg-2008
LV.2
6
2007-06-07 12:00
@lfxz
居然无法关注.......~0~
是呀!我也感到遗憾!不过我还是想知道这个参数对节能灯的重要性及这个参数的详细情况.
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lrg-2008
LV.2
7
2007-06-07 14:04
@lfxz
居然无法关注.......~0~
是啊!我也很遗憾,但我真的很想知道这个参数对节能灯的重要性在什么地方以及它的具体情况.
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weiwang
LV.3
8
2007-06-07 17:11
@lrg-2008
是啊!我也很遗憾,但我真的很想知道这个参数对节能灯的重要性在什么地方以及它的具体情况.
关于Vbe,不同的型号(或同型号不同芯片,同芯片不同的封装厂家)其值也不一样,不过Vbe大多在0.6-0.8V之间,相对来说Vbe越小越好!Vbe为负温特性,三极管温度每上升一度Vbe大约下降0.2mv.两只相通的三极管在同一电路中,Vbe压降小的Pc功率必然大过Vbe压降大的,因为Pc功率与热阻Rt相关,Rt=(Tj-Ta)/Pc,Pc=(Tj-Ta)/Rt,(式中Rt为热租,Tj为三极管结温度,Ta为一般指25度,Pc为三极管耗散功率).因此三极管的散热片越大其功率也越大.同时Vbe也反映了三极管生产厂家的封装工艺水平.
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weiwang
LV.3
9
2007-06-07 17:13
@weiwang
关于Vbe,不同的型号(或同型号不同芯片,同芯片不同的封装厂家)其值也不一样,不过Vbe大多在0.6-0.8V之间,相对来说Vbe越小越好!Vbe为负温特性,三极管温度每上升一度Vbe大约下降0.2mv.两只相通的三极管在同一电路中,Vbe压降小的Pc功率必然大过Vbe压降大的,因为Pc功率与热阻Rt相关,Rt=(Tj-Ta)/Pc,Pc=(Tj-Ta)/Rt,(式中Rt为热租,Tj为三极管结温度,Ta为一般指25度,Pc为三极管耗散功率).因此三极管的散热片越大其功率也越大.同时Vbe也反映了三极管生产厂家的封装工艺水平.
关于Vbe,不同的型号(或同型号不同芯片,同芯片不同的封装厂家)其值也不一样,不过Vbe大多在0.6-0.8V之间,相对来说Vbe越小越好!Vbe为负温特性,三极管温度每上升一度Vbe大约下降0.2mv.两只相同的三极管在同一电路中,Vbe压降小的Pc功率必然大过Vbe压降大的,因为Pc功率与热阻Rt相关,Rt=(Tj-Ta)/Pc,Pc=(Tj-Ta)/Rt,(式中Rt为热租,Tj为三极管结温度,Ta为一般指25度,Pc为三极管耗散功率).因此三极管的散热片越大其功率也越大.同时Vbe也反映了三极管生产厂家的封装工艺水平.
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weiwang
LV.3
10
2007-06-07 17:16
@weiwang
关于Vbe,不同的型号(或同型号不同芯片,同芯片不同的封装厂家)其值也不一样,不过Vbe大多在0.6-0.8V之间,相对来说Vbe越小越好!Vbe为负温特性,三极管温度每上升一度Vbe大约下降0.2mv.两只相同的三极管在同一电路中,Vbe压降小的Pc功率必然大过Vbe压降大的,因为Pc功率与热阻Rt相关,Rt=(Tj-Ta)/Pc,Pc=(Tj-Ta)/Rt,(式中Rt为热租,Tj为三极管结温度,Ta为一般指25度,Pc为三极管耗散功率).因此三极管的散热片越大其功率也越大.同时Vbe也反映了三极管生产厂家的封装工艺水平.
Vbe压降的测试用UI9600就可以!
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lrg-2008
LV.2
11
2007-06-07 17:44
@weiwang
Vbe压降的测试用UI9600就可以!
谢谢!
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lrg-2008
LV.2
12
2007-06-07 17:57
@lrg-2008
谢谢!
能否留个联系方式,好向你请教.
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weiwang
LV.3
13
2007-06-08 08:06
@lrg-2008
能否留个联系方式,好向你请教.
weiwang888668@sina.com,weiking888668@hotmail.com
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