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IGBT的发热问题请高手指点

以下观点是否正确?
1、负载功率因数会影响igbt的发热
2、载波频率提高,可以降低IGBT的发热,但可能会使输出变压器发热增加
3、使用软开关可以降低IGBT发热,但缓冲电路发热会增大
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yjh0202
LV.3
2
2004-12-10 12:00
item 1 ture
item 2 false
item 3 false
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dumas
LV.1
3
2004-12-10 15:22
@yjh0202
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all false
0
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abc_abc
LV.4
4
2004-12-12 20:46
@yjh0202
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第2点说错了,是载波频率降低,可以降低igbt的发热,但可能增加变压器发热
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xspang
LV.4
5
2004-12-13 13:05
全错
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abc_abc
LV.4
6
2004-12-14 20:12
@xspang
全错
错在哪里呢
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mr.lan
LV.7
7
2004-12-16 18:56
@abc_abc
错在哪里呢
1,IGBT驱动波形.   2,频率.3,功率须小,但工作在尖脉冲,会发热.
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無疆
LV.7
8
2004-12-23 08:02
@mr.lan
1,IGBT驱动波形.  2,频率.3,功率须小,但工作在尖脉冲,会发热.
我觉得你说的也不全对.输入波形再漂亮,若IGBT没有在0电压时导通,IGBT的温度也很高.而且效率也很低.
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keenfeng
LV.4
9
2004-12-23 15:16
Sorry ,
  1)item one is not correc, why ?
because  that the power factor have nothing to do with the Power Switch. Reversely, the power switchc affects the PF.
  2)item two is correct  in part,why  in fact the temperature riseing of IGBT resulted from the gate input Capacitor and D-S output capacitor and turn on resistor. the component of each part of this three changes with frequency. at low frequency the capacitor consuming is small, but at hf it is greater . while the turn on resistor is quite contray. of course   you have to consider the driving power  for the gate of IGBT, it must be enough high to let the G-S lead.
3)item three is correct, the cunbber net not only consumes energy also increase the cost. but you could use the loss free net work to optimize it.
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keenfeng
LV.4
10
2004-12-23 15:42
if any question contact me pls. 13826592478
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casual
LV.3
11
2004-12-24 14:39
@keenfeng
ifanyquestioncontactmepls.13826592478
一个电源的功率因数与其带负载的特性没关系?
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casual
LV.3
12
2004-12-24 14:42
@casual
一个电源的功率因数与其带负载的特性没关系?
如果一个不带PFC的电路应该受到负载特性的影响,而PF只要受到影响肯定要影响IGBT的发热.
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keenfeng
LV.4
13
2004-12-24 15:53
@casual
如果一个不带PFC的电路应该受到负载特性的影响,而PF只要受到影响肯定要影响IGBT的发热.
How do you define PF? What causes the PF?  Any  problem  is load related
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abc_abc
LV.4
14
2004-12-25 13:25
@keenfeng
HowdoyoudefinePF?WhatcausesthePF?  Any  problem  isloadrelated
可以看看IGBT发热的计算公式,负载功率因数是其中的一项
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keenfeng
LV.4
15
2004-12-25 15:14
@abc_abc
可以看看IGBT发热的计算公式,负载功率因数是其中的一项
what formula,
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abc_abc
LV.4
16
2004-12-25 17:16
@keenfeng
whatformula,
IGBT导通损耗P=Icp*Vce(sat)*(1/8+1/(3*3.14)cosa),cosa为负载功率因数
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casual
LV.3
17
2004-12-27 09:34
@keenfeng
HowdoyoudefinePF?WhatcausesthePF?  Any  problem  isloadrelated
PF功率因数啊,包含电压与电流的相差和高次谐波两部分,高次谐波就不管了,负载的感性和容性影响相位差吧
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keenfeng
LV.4
18
2004-12-27 16:39
@casual
PF功率因数啊,包含电压与电流的相差和高次谐波两部分,高次谐波就不管了,负载的感性和容性影响相位差吧
yes
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miqj
LV.7
19
2007-09-17 09:58
@keenfeng
yes
可试试导热陶瓷片,解决散热不良问题.
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2007-09-21 14:13
@keenfeng
Sorry,  1)itemoneisnotcorrec,why?because  thatthepowerfactorhavenothingtodowiththePowerSwitch.Reversely,thepowerswitchcaffectsthePF.  2)itemtwoiscorrect  inpart,why  infactthetemperatureriseingofIGBTresultedfromthegateinputCapacitorandD-Soutputcapacitorandturnonresistor.thecomponentofeachpartofthisthreechangeswithfrequency.atlowfrequencythecapacitorconsumingissmall,butathfitisgreater.whiletheturnonresistorisquitecontray.ofcourse  youhavetoconsiderthedrivingpower  forthegateofIGBT,itmustbeenoughhightolettheG-Slead.3)itemthreeiscorrect,thecunbbernetnotonlyconsumesenergyalsoincreasethecost.butyoucouldusethelossfreenetworktooptimizeit.
Aer yuo hdc oib dueirr  djkjluir wjeiljigbcu kdjuw kr ejoekjrlg jfk4lpp rtprotr; eki5vr/cerir ekjori,ej ivj wrefjjee evok  toppoti evoer eoo tok eiui4r dvcorp e rjir  rvcoeirk erkokeow dlk;editp456f,ercjijd vev rkoei er ertjkjodre eriewit dsfkkasfdf cijr dfkje dcjjero ecr r  flket dvkerwmg rfijert dvkork vdko;revfi .
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benbenchy
LV.1
21
2011-03-08 14:16
@miqj
可试试导热陶瓷片,解决散热不良问题.
本人这里有最新研究出来的陶瓷导热片,特性是单向导热,能把产生的热有效地往后方传导而且热不会回流,再透过后方简易的铝片把抽出来的热发散掉。可以考虑试一试
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