各位大侠:
一台电流型感应加热电源,250V/200A,工作频率300~400kHz.原先是选用IR公司的IRF460(20A/500V),每桥臂24只并联.每只都加吸收电路(25欧电阻,1500P电容),门极电阻10欧,能工作到250V/200A额定.后来460器件供货不畅加之老板想升级就选用了IXYS公司的IXTQ26N60P(26A/600V),该型管子的各项性能指标都比460强,200V以下工作良好,可是只要电压超过200V就炸管子,且管子坏时火光四射(460坏时仅有轻微的爆裂声).
能试的方法都试了,可还是不行,百思不得其解啊,各位大侠给出出主意这是什么原因呢?小妹拜谢了!!!
高频电源,用IXTQ26N60P替代IRF460时为何老是炸管?
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@郁闷的小鸟
打电话问了,他说我的驱动能力不够.我们觉得不可能啊,460比IXYS管子的驱动功率要求大多了,我的驱动既然能够驱动460,怎么会驱动IXYS反而不够呢?!我觉得是由于管子开关速度太快造成di/dt或dv/dt过大损坏的,各位大侠说说是不是这个原因造成的呢?小妹拜谢了.
IXYS的MOS只适合低频工作,如果想到你那频率,只有ZVS方式工作了.而且,要求dv/dt要足够小.主要原因是IXYS的绝缘栅镀铝层太薄,造成栅寄生内阻太大.从元件层面看,离栅远的MOS单元该开是开不起;该关时关不掉.这是炸机的根本原因.
你现在有两个方法解决:
1)换威士的460,IR的一级代理大体上都有代理这家的器件.(威士用的是IR工艺做的.)
2)在上升沿;用25V强触发开通,开通稳态用9~15V维持.在下降沿;用-15V强制关闭,关闭稳态同0V维持.
你现在有两个方法解决:
1)换威士的460,IR的一级代理大体上都有代理这家的器件.(威士用的是IR工艺做的.)
2)在上升沿;用25V强触发开通,开通稳态用9~15V维持.在下降沿;用-15V强制关闭,关闭稳态同0V维持.
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@xkw1
IXYS的MOS只适合低频工作,如果想到你那频率,只有ZVS方式工作了.而且,要求dv/dt要足够小.主要原因是IXYS的绝缘栅镀铝层太薄,造成栅寄生内阻太大.从元件层面看,离栅远的MOS单元该开是开不起;该关时关不掉.这是炸机的根本原因.你现在有两个方法解决:1)换威士的460,IR的一级代理大体上都有代理这家的器件.(威士用的是IR工艺做的.)2)在上升沿;用25V强触发开通,开通稳态用9~15V维持.在下降沿;用-15V强制关闭,关闭稳态同0V维持.
大侠说得很有道理,谢谢!我对器件的制造工艺不懂.
不过您说的“要求dv/dt要足够小.主要原因是IXYS的绝缘栅镀铝层太薄,造成栅寄生内阻太大.从元件层面看,离栅远的MOS单元该开是开不起;该关时关不掉.这是炸机的根本原因”和您出的第二个解决方案向矛盾啊,强触发时dv/dt更大啊,那不更容易损坏?
IRFP460和IXYS管子的参数表面上看开关速度差的很多,我总觉得IR公司的产品既然速度慢还挺有市场,管子内在结构必然有其独特优点,只是不知是什么.
愿大侠赐教!!
谢谢
不过您说的“要求dv/dt要足够小.主要原因是IXYS的绝缘栅镀铝层太薄,造成栅寄生内阻太大.从元件层面看,离栅远的MOS单元该开是开不起;该关时关不掉.这是炸机的根本原因”和您出的第二个解决方案向矛盾啊,强触发时dv/dt更大啊,那不更容易损坏?
IRFP460和IXYS管子的参数表面上看开关速度差的很多,我总觉得IR公司的产品既然速度慢还挺有市场,管子内在结构必然有其独特优点,只是不知是什么.
愿大侠赐教!!
谢谢
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@郁闷的小鸟
大侠说得很有道理,谢谢!我对器件的制造工艺不懂.不过您说的“要求dv/dt要足够小.主要原因是IXYS的绝缘栅镀铝层太薄,造成栅寄生内阻太大.从元件层面看,离栅远的MOS单元该开是开不起;该关时关不掉.这是炸机的根本原因”和您出的第二个解决方案向矛盾啊,强触发时dv/dt更大啊,那不更容易损坏?IRFP460和IXYS管子的参数表面上看开关速度差的很多,我总觉得IR公司的产品既然速度慢还挺有市场,管子内在结构必然有其独特优点,只是不知是什么.愿大侠赐教!!谢谢
开时,用更高的电压触发,可以在相同的栅电阻的条件下,能有更大的驱动电流,远处的MOS单元可以更快的开,反之,关闭时负压驱动;能更快的驱动远处的MOS单元.
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