请Jerome 回答ACT30高压短路炸机
请Jerome 回答:我用ACT30B+13003做12V/500MA的充电器,后面有恒流和充电转灯的,变压器EE-16 172:25:23前面用ACT30标准线路,效率只有0.65,高压短路炸机,已炸了成十多台机了,换了13005就不炸了,请问我的变压器是否有问题?电感为2.5MH,请回复!谢谢!
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@jerome
三极管是电流驱动的,如果基极电流不够驱动,那么三极管就不能饱和导通,三极管处于放大壮态,那么CE极的电压降就很大,而此时电流也很大,损耗会有几十到上百瓦特,不炸才怪!
谢谢答复!按照这样推断的话,是不是说在短路时初级的峰值电流会超过正常工作时(full load)的初级峰值电流,那么设计时驱动电阻仅仅按照正常工作来设计会存在隐患?
另外,ACT30的duty是在Ip碰到参考电压(由VDD电压值决定)时就关断.那么在短路时,每次autorecover都会在VDD掉到3.35V时结束,并开始charge,换句话说:就是短路时,Ip所能达到的峰值都是一样的,即3.35和4.75V比较的结果.那为什么短路时高端短路会更容易出现Ib不够,从而炸机?
就目前来看,是不是可以判断:短路炸机是由于Ib电流不够,造成导通时Vce压降太高?
另外,ACT30的duty是在Ip碰到参考电压(由VDD电压值决定)时就关断.那么在短路时,每次autorecover都会在VDD掉到3.35V时结束,并开始charge,换句话说:就是短路时,Ip所能达到的峰值都是一样的,即3.35和4.75V比较的结果.那为什么短路时高端短路会更容易出现Ib不够,从而炸机?
就目前来看,是不是可以判断:短路炸机是由于Ib电流不够,造成导通时Vce压降太高?
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@stupid
谢谢答复!按照这样推断的话,是不是说在短路时初级的峰值电流会超过正常工作时(fullload)的初级峰值电流,那么设计时驱动电阻仅仅按照正常工作来设计会存在隐患?另外,ACT30的duty是在Ip碰到参考电压(由VDD电压值决定)时就关断.那么在短路时,每次autorecover都会在VDD掉到3.35V时结束,并开始charge,换句话说:就是短路时,Ip所能达到的峰值都是一样的,即3.35和4.75V比较的结果.那为什么短路时高端短路会更容易出现Ib不够,从而炸机?就目前来看,是不是可以判断:短路炸机是由于Ib电流不够,造成导通时Vce压降太高?
高压容易炸主要有两个方面:
1,高压时给启动电容充电电流是低压时的三倍,那么重启的频率基本上是低压的三倍,不管Ib是否足够,损耗都要增加很多;
2,高压时三极管的开通损耗和开闭损耗要比低压时大几倍,这个你可自己用示波器测量三极管的C极电流和电压进行认知;
所以说,低压时不够驱动也可能不会炸,但高压时就不行了.
另外,打嗝模式其实相当于重启状态,ACT30的启动是以最大占空比进行最大能量输出的,所以启动时每个Ippk都会到达IC内部限定值,计算驱动电阻是应考虑的.
1,高压时给启动电容充电电流是低压时的三倍,那么重启的频率基本上是低压的三倍,不管Ib是否足够,损耗都要增加很多;
2,高压时三极管的开通损耗和开闭损耗要比低压时大几倍,这个你可自己用示波器测量三极管的C极电流和电压进行认知;
所以说,低压时不够驱动也可能不会炸,但高压时就不行了.
另外,打嗝模式其实相当于重启状态,ACT30的启动是以最大占空比进行最大能量输出的,所以启动时每个Ippk都会到达IC内部限定值,计算驱动电阻是应考虑的.
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@jerome
高压容易炸主要有两个方面:1,高压时给启动电容充电电流是低压时的三倍,那么重启的频率基本上是低压的三倍,不管Ib是否足够,损耗都要增加很多;2,高压时三极管的开通损耗和开闭损耗要比低压时大几倍,这个你可自己用示波器测量三极管的C极电流和电压进行认知;所以说,低压时不够驱动也可能不会炸,但高压时就不行了.另外,打嗝模式其实相当于重启状态,ACT30的启动是以最大占空比进行最大能量输出的,所以启动时每个Ippk都会到达IC内部限定值,计算驱动电阻是应考虑的.
高压时,重起频率是低压时的三倍,这会造成高压时短路损耗的平均功率会增大,如果是平均功率太大造成炸机的话,短路时三极管温度应该很高,但在220VAC时(短路不炸机)我短路一段时间后摸了三极管发现一点都不热,264VAC时,我想平均功率应该不会比220VAC高太多.
我觉得这应该是瞬间功率造成炸机,你觉得呢?
我觉得这应该是瞬间功率造成炸机,你觉得呢?
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@tanxiangjun
ACT30的IC确实不好用!我用的13005+ACT30B+EE16的变压器做12V500MA的充电器,次级有恒流的还是炸机!那位大侠能给我变压器参数?谢谢!
参考下附件 47481187924797.5a
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@stupid
请教:1.我看了正常工作下三极管ON的时候Vce的电压,发现4V左右,是不是说正常工作的时候三极管本身就是工作在放大模式下,根本没有进入饱和模式?2.如果变压器辅助绕组出来的电压在满载和短路时都很稳不飘高,那VDD上ZENER是不是可以省掉?3.我在论坛看到您说:为了防止ACT3的driver电压过高最好在三极管的E、B之间并一个二极管,请问为什么E极的电压会升高,正常情况下应该不会啊.4.变压器的RCD吸收,另外在FR107上串了一个100ohm的电阻,请问是做什么用?
别请教了,我担当不起!
1,正常工作三极管肯定在导通和截止状态,只是两者过渡之间会有放大状态,因为导通时三极管本身还是会有很小的压降,另外发射极接的ACT30也会有压降,电流越大压降就越大;
2,当然,稳压管防止脱环及过压用的,另外也有钳位作用;
3,IC的MOS管和三极管都有寄生电容效应;
4,过EMI用的,你可以通过示波器看加与不加时的集电极振荡波形得到理解.
1,正常工作三极管肯定在导通和截止状态,只是两者过渡之间会有放大状态,因为导通时三极管本身还是会有很小的压降,另外发射极接的ACT30也会有压降,电流越大压降就越大;
2,当然,稳压管防止脱环及过压用的,另外也有钳位作用;
3,IC的MOS管和三极管都有寄生电容效应;
4,过EMI用的,你可以通过示波器看加与不加时的集电极振荡波形得到理解.
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@fhy990106
Jerome你好! 我用ACT30B做12V1A,高压短路也会炸机,减小VCC电压,还是不行,请问要用什么方法解决!谢!急!请回答
ACT30的短路是靠VCC和SW的欠压而实现打嗝保护的,当然在低端的时候也容易因为达到芯片的Ilim为(ACT30A)400mA或(ACT30B)800mA而进入打嗝的保护壮态,所以根据这个出发点我们可以从以下几个方面去做:1变压器次级和反馈级耦合尽量好;2改善变压器使其容易进入芯片的Ilim;3增加Vcc限流电阻和减小电解电容容量使短路时存贮的能量减小;4采用慢恢复整流管作反馈级的整流管使短路时漏感产生的VCC能量尽量消耗到达不了芯片;5增加E-B正向二极管消耗短路芯片SW产生的尖峰保护芯片;6减小开关管的B极驱动电阻,因为短路时若是驱动不够则三极管消耗大容易炸掉,但是减小电阻容易引起效率的流失,所以需要合适选择!
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@jerome
ACT30的短路是靠VCC和SW的欠压而实现打嗝保护的,当然在低端的时候也容易因为达到芯片的Ilim为(ACT30A)400mA或(ACT30B)800mA而进入打嗝的保护壮态,所以根据这个出发点我们可以从以下几个方面去做:1变压器次级和反馈级耦合尽量好;2改善变压器使其容易进入芯片的Ilim;3增加Vcc限流电阻和减小电解电容容量使短路时存贮的能量减小;4采用慢恢复整流管作反馈级的整流管使短路时漏感产生的VCC能量尽量消耗到达不了芯片;5增加E-B正向二极管消耗短路芯片SW产生的尖峰保护芯片;6减小开关管的B极驱动电阻,因为短路时若是驱动不够则三极管消耗大容易炸掉,但是减小电阻容易引起效率的流失,所以需要合适选择!
你好,我现在调到短路功耗在4.5W打隔,可以了吗?效率在74%左右,测13003\变压器\温度在80℃就保护了,不工作?是不是效率太低了?
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