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请Jerome 回答ACT30高压短路炸机

请Jerome 回答:我用ACT30B+13003做12V/500MA的充电器,后面有恒流和充电转灯的,变压器EE-16 172:25:23前面用ACT30标准线路,效率只有0.65,高压短路炸机,已炸了成十多台机了,换了13005就不炸了,请问我的变压器是否有问题?电感为2.5MH,请回复!谢谢!
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jerome
LV.8
2
2007-08-07 14:40
首先我只能大概推断一下,13003和13005的区别主要在Ic最大电流的差别,分别为1.5A和4A,其它上升和下降时间得看你用的具体厂家的参数,电流放大倍数具体也会不一样.
既然换了三极管不会炸的话,那说明IC还是有保护动作的,一般来说,估计为三极管饱和问题.你把三极管换为13003,基极驱动电阻改小为原来的一半,再短路看看!
方便的话把开关三极管的电流和电压波形传上来看看!
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2007-08-07 17:44
@jerome
首先我只能大概推断一下,13003和13005的区别主要在Ic最大电流的差别,分别为1.5A和4A,其它上升和下降时间得看你用的具体厂家的参数,电流放大倍数具体也会不一样.既然换了三极管不会炸的话,那说明IC还是有保护动作的,一般来说,估计为三极管饱和问题.你把三极管换为13003,基极驱动电阻改小为原来的一半,再短路看看!方便的话把开关三极管的电流和电压波形传上来看看!
谢谢你Jerome !我再按你的方法试一下!
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stupid
LV.4
4
2007-08-21 22:38
@jerome
首先我只能大概推断一下,13003和13005的区别主要在Ic最大电流的差别,分别为1.5A和4A,其它上升和下降时间得看你用的具体厂家的参数,电流放大倍数具体也会不一样.既然换了三极管不会炸的话,那说明IC还是有保护动作的,一般来说,估计为三极管饱和问题.你把三极管换为13003,基极驱动电阻改小为原来的一半,再短路看看!方便的话把开关三极管的电流和电压波形传上来看看!
请教进入短路保护模式了为什么还和驱动电阻有关,能说说原理吗?
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jerome
LV.8
5
2007-08-22 14:38
@stupid
请教进入短路保护模式了为什么还和驱动电阻有关,能说说原理吗?
三极管是电流驱动的,如果基极电流不够驱动,那么三极管就不能饱和导通,三极管处于放大壮态,那么CE极的电压降就很大,而此时电流也很大,损耗会有几十到上百瓦特,不炸才怪!
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stupid
LV.4
6
2007-08-23 18:24
@jerome
三极管是电流驱动的,如果基极电流不够驱动,那么三极管就不能饱和导通,三极管处于放大壮态,那么CE极的电压降就很大,而此时电流也很大,损耗会有几十到上百瓦特,不炸才怪!
谢谢答复!按照这样推断的话,是不是说在短路时初级的峰值电流会超过正常工作时(full load)的初级峰值电流,那么设计时驱动电阻仅仅按照正常工作来设计会存在隐患?
另外,ACT30的duty是在Ip碰到参考电压(由VDD电压值决定)时就关断.那么在短路时,每次autorecover都会在VDD掉到3.35V时结束,并开始charge,换句话说:就是短路时,Ip所能达到的峰值都是一样的,即3.35和4.75V比较的结果.那为什么短路时高端短路会更容易出现Ib不够,从而炸机?
就目前来看,是不是可以判断:短路炸机是由于Ib电流不够,造成导通时Vce压降太高?
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jerome
LV.8
7
2007-08-23 23:04
@stupid
谢谢答复!按照这样推断的话,是不是说在短路时初级的峰值电流会超过正常工作时(fullload)的初级峰值电流,那么设计时驱动电阻仅仅按照正常工作来设计会存在隐患?另外,ACT30的duty是在Ip碰到参考电压(由VDD电压值决定)时就关断.那么在短路时,每次autorecover都会在VDD掉到3.35V时结束,并开始charge,换句话说:就是短路时,Ip所能达到的峰值都是一样的,即3.35和4.75V比较的结果.那为什么短路时高端短路会更容易出现Ib不够,从而炸机?就目前来看,是不是可以判断:短路炸机是由于Ib电流不够,造成导通时Vce压降太高?
高压容易炸主要有两个方面:
1,高压时给启动电容充电电流是低压时的三倍,那么重启的频率基本上是低压的三倍,不管Ib是否足够,损耗都要增加很多;
2,高压时三极管的开通损耗和开闭损耗要比低压时大几倍,这个你可自己用示波器测量三极管的C极电流和电压进行认知;
所以说,低压时不够驱动也可能不会炸,但高压时就不行了.
另外,打嗝模式其实相当于重启状态,ACT30的启动是以最大占空比进行最大能量输出的,所以启动时每个Ippk都会到达IC内部限定值,计算驱动电阻是应考虑的.
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stupid
LV.4
8
2007-08-24 07:04
@jerome
高压容易炸主要有两个方面:1,高压时给启动电容充电电流是低压时的三倍,那么重启的频率基本上是低压的三倍,不管Ib是否足够,损耗都要增加很多;2,高压时三极管的开通损耗和开闭损耗要比低压时大几倍,这个你可自己用示波器测量三极管的C极电流和电压进行认知;所以说,低压时不够驱动也可能不会炸,但高压时就不行了.另外,打嗝模式其实相当于重启状态,ACT30的启动是以最大占空比进行最大能量输出的,所以启动时每个Ippk都会到达IC内部限定值,计算驱动电阻是应考虑的.
高压时,重起频率是低压时的三倍,这会造成高压时短路损耗的平均功率会增大,如果是平均功率太大造成炸机的话,短路时三极管温度应该很高,但在220VAC时(短路不炸机)我短路一段时间后摸了三极管发现一点都不热,264VAC时,我想平均功率应该不会比220VAC高太多.
我觉得这应该是瞬间功率造成炸机,你觉得呢?
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jerome
LV.8
9
2007-08-24 10:05
@stupid
高压时,重起频率是低压时的三倍,这会造成高压时短路损耗的平均功率会增大,如果是平均功率太大造成炸机的话,短路时三极管温度应该很高,但在220VAC时(短路不炸机)我短路一段时间后摸了三极管发现一点都不热,264VAC时,我想平均功率应该不会比220VAC高太多.我觉得这应该是瞬间功率造成炸机,你觉得呢?
不就是我说的第二点嘛
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tanxiangjun
LV.3
10
2007-08-24 10:16
@jerome
不就是我说的第二点嘛
ACT30的IC确实不好用!我用的13005+ACT30B+EE16的变压器做12V 500MA的充电器,次级有恒流的还是炸机!那位大侠能给我变压器参数?谢谢!
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佚名
LV.8
11
2007-08-24 11:05
@tanxiangjun
ACT30的IC确实不好用!我用的13005+ACT30B+EE16的变压器做12V500MA的充电器,次级有恒流的还是炸机!那位大侠能给我变压器参数?谢谢!
参考下附件 47481187924797.5a
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佚名
LV.8
12
2007-08-24 11:07
@佚名
参考下附件47481187924797.5a
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stupid
LV.4
13
2007-08-25 09:39
@jerome
不就是我说的第二点嘛
请教:
1.我看了正常工作下三极管ON的时候Vce的电压,发现4V左右,是不是说正常工作的时候三极管本身就是工作在放大模式下,根本没有进入饱和模式?
2.如果变压器辅助绕组出来的电压在满载和短路时都很稳不飘高,那VDD上ZENER是不是可以省掉?
3.我在论坛看到您说:为了防止ACT3的driver电压过高最好在三极管的E、B之间并一个二极管,请问为什么E极的电压会升高,正常情况下应该不会啊.
4.变压器的RCD吸收,另外在FR107上串了一个100 ohm的电阻,请问是做什么用?
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jerome
LV.8
14
2007-08-25 19:35
@stupid
请教:1.我看了正常工作下三极管ON的时候Vce的电压,发现4V左右,是不是说正常工作的时候三极管本身就是工作在放大模式下,根本没有进入饱和模式?2.如果变压器辅助绕组出来的电压在满载和短路时都很稳不飘高,那VDD上ZENER是不是可以省掉?3.我在论坛看到您说:为了防止ACT3的driver电压过高最好在三极管的E、B之间并一个二极管,请问为什么E极的电压会升高,正常情况下应该不会啊.4.变压器的RCD吸收,另外在FR107上串了一个100ohm的电阻,请问是做什么用?
别请教了,我担当不起!
1,正常工作三极管肯定在导通和截止状态,只是两者过渡之间会有放大状态,因为导通时三极管本身还是会有很小的压降,另外发射极接的ACT30也会有压降,电流越大压降就越大;
2,当然,稳压管防止脱环及过压用的,另外也有钳位作用;
3,IC的MOS管和三极管都有寄生电容效应;
4,过EMI用的,你可以通过示波器看加与不加时的集电极振荡波形得到理解.
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jerome
LV.8
15
2007-08-25 19:48
@佚名
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你帮忙解答解答呀,谢了哈!
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佚名
LV.8
16
2007-08-27 09:30
@jerome
你帮忙解答解答呀,谢了哈!
他这个属于开关管占空比大,把占空比降下去就好了

怎么解释我也不会
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zcp-power
LV.3
17
2007-11-16 11:54
@jerome
别请教了,我担当不起!1,正常工作三极管肯定在导通和截止状态,只是两者过渡之间会有放大状态,因为导通时三极管本身还是会有很小的压降,另外发射极接的ACT30也会有压降,电流越大压降就越大;2,当然,稳压管防止脱环及过压用的,另外也有钳位作用;3,IC的MOS管和三极管都有寄生电容效应;4,过EMI用的,你可以通过示波器看加与不加时的集电极振荡波形得到理解.
ACT30  AC高低压输入时   它的过流保护点不一样  有没有更好的解决方法
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jerome
LV.8
18
2007-11-16 12:30
@zcp-power
ACT30  AC高低压输入时  它的过流保护点不一样  有没有更好的解决方法
在输出加恒流电路便可,初级不好做,不能调.
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dyffrom620
LV.5
19
2007-11-16 16:08
@jerome
在输出加恒流电路便可,初级不好做,不能调.
是哈,补偿都没地方加
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jerome
LV.8
20
2007-11-16 16:32
@dyffrom620
是哈,补偿都没地方加
像这种内部有初级峰值电流限制的IC一般都是一样的,不好做补偿,要做也太麻烦,不划算.
另外有些IC是可以在外部用一电阻或者电容设置的可以做补偿,简单.
但总得来说,选IC本来就应该看具体要求,这样才能各有所用.
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fhy990106
LV.4
21
2007-11-17 10:28
@jerome
像这种内部有初级峰值电流限制的IC一般都是一样的,不好做补偿,要做也太麻烦,不划算.另外有些IC是可以在外部用一电阻或者电容设置的可以做补偿,简单.但总得来说,选IC本来就应该看具体要求,这样才能各有所用.
Jerome你好!
  我用ACT30B做12V1A,高压短路也会炸机,减小VCC电压,还是不行,请问要用什么方法解决!谢!急!请回答
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jerome
LV.8
22
2007-11-19 13:27
@fhy990106
Jerome你好!  我用ACT30B做12V1A,高压短路也会炸机,减小VCC电压,还是不行,请问要用什么方法解决!谢!急!请回答
ACT30的短路是靠VCC和SW的欠压而实现打嗝保护的,当然在低端的时候也容易因为达到芯片的Ilim为(ACT30A)400mA或(ACT30B)800mA而进入打嗝的保护壮态,所以根据这个出发点我们可以从以下几个方面去做:1变压器次级和反馈级耦合尽量好;2改善变压器使其容易进入芯片的Ilim;3增加Vcc限流电阻和减小电解电容容量使短路时存贮的能量减小;4采用慢恢复整流管作反馈级的整流管使短路时漏感产生的VCC能量尽量消耗到达不了芯片;5增加E-B正向二极管消耗短路芯片SW产生的尖峰保护芯片;6减小开关管的B极驱动电阻,因为短路时若是驱动不够则三极管消耗大容易炸掉,但是减小电阻容易引起效率的流失,所以需要合适选择!
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fhy990106
LV.4
23
2007-11-20 13:17
@jerome
ACT30的短路是靠VCC和SW的欠压而实现打嗝保护的,当然在低端的时候也容易因为达到芯片的Ilim为(ACT30A)400mA或(ACT30B)800mA而进入打嗝的保护壮态,所以根据这个出发点我们可以从以下几个方面去做:1变压器次级和反馈级耦合尽量好;2改善变压器使其容易进入芯片的Ilim;3增加Vcc限流电阻和减小电解电容容量使短路时存贮的能量减小;4采用慢恢复整流管作反馈级的整流管使短路时漏感产生的VCC能量尽量消耗到达不了芯片;5增加E-B正向二极管消耗短路芯片SW产生的尖峰保护芯片;6减小开关管的B极驱动电阻,因为短路时若是驱动不够则三极管消耗大容易炸掉,但是减小电阻容易引起效率的流失,所以需要合适选择!
你好,我现在调到短路功耗在4.5W打隔,可以了吗?效率在74%左右,测13003\变压器\温度在80℃就保护了,不工作?是不是效率太低了?
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jerome
LV.8
24
2008-01-23 13:49
@fhy990106
你好,我现在调到短路功耗在4.5W打隔,可以了吗?效率在74%左右,测13003\变压器\温度在80℃就保护了,不工作?是不是效率太低了?
短路功耗还是过大,再调调看!
是低压烧机保护吗?一般来说主要是3个方面:
1,IC发热后Ilim会减小,导致输出功率下降,现象就是打嗝保护,可以修改变压器使初级Ippk减小即可;
2,还是变压器问题,占空比过大,烧机易保护,修改变压器便可;
3,反馈回路没调好,使烧机时VDD电压有过压或欠压现象出现,可调整VDD电容和431周围参数.
这3个问题用示波器检查就可以出来了.
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uwyc_1984
LV.4
25
2008-03-25 00:52
此帖已被删除
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jerome
LV.8
26
2008-03-25 09:29
@uwyc_1984
此帖已被删除
呵呵,说简单也不简单,说复杂也不复杂,不过绝对没有你说的那么简单!要是真有兴趣你可以玩一玩,做几个具体应用就了解了
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hyx133
LV.2
27
2008-04-08 13:30
这个问题其实是个最大占空比的控制问题,因当短路时首先检测到的是输出电压不够,那么反馈给控制电路就是加大占空比,在达到保护之前这是一个起控电流等待期............
为什么易发生在高压状态,因为在功率相同的情况下,输入电压较高时主回路中电流就小(低压时相反),此时起控点要比低压压时低了很多,那么要进入保护的时间比低压时间长,在此状态下三极管的ICM准确的说应该是三极管的"二次耐量"很重要,还有就是jerome 所说的第7帖 ,其实就是输入电压越高三极管越不易进入饱和
   但要区别于由于ICM过大而引起的炸机
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