请教MOSFET管的导通电阻问题
最近做了一个电路,把1.2V镍氢电池的电源升高到4.5V左右,驱动多个大功率红外线发光二极管,结构是最普通的开关-电感升压结构,电池最大电流约为2A,电池为2000mAH,驱动源为MCU的PWM输出.MCU的供电另由一个成品的微型升压板提供.当前手头上只有400V的IRF840,只好用它.调试时发现,IRF840的导通电阻似乎远高于其标定参数,根据我用普通数字表测量Vds和电流,折合电阻在好几欧姆以上,输出的电压和功率都难以满足要求.更换了几个开关管都如此.请问是何原因?选用何种开关管比较合适?
