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EMI怪事!(空前)很急!在线等!!!!

同样的PCB用在美规(可动式插头)的外壳里传导超3DB,而用在欧规的外壳里却有4DB余量.
充电器用VIPER22A.
请高手们帮忙分析一下!1104838562.pdf
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philips
LV.8
2
2005-01-04 19:59
难道没人遇见过吗?
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philips
LV.8
3
2005-01-04 20:35
@philips
难道没人遇见过吗?
ding!!!!!
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s.m.xiao
LV.5
4
2005-01-04 21:13
将电路和变压器资料立即贴上来,咱们帮你看看!
S.M.XIAO
2005 01 04 21: 12
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philips
LV.8
5
2005-01-04 22:21
插腳離變壓器近了會不會有磁耦合?因為插腳机构是可動式(類似摩托羅拉充電器)彈片是鐵材的,請高手們踊躍發言!!!!!
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s.m.xiao
LV.5
6
2005-01-04 22:26
@philips
插腳離變壓器近了會不會有磁耦合?因為插腳机构是可動式(類似摩托羅拉充電器)彈片是鐵材的,請高手們踊躍發言!!!!!
不影响EMI!
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marketyjh
LV.1
7
2005-01-04 22:41
外壳材料的问题,
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大漠孤雁
LV.6
8
2005-01-04 23:28
把PCB和线路图贴一来.不难弄.
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cmg
LV.9
9
2005-01-05 09:01
@philips
插腳離變壓器近了會不會有磁耦合?因為插腳机构是可動式(類似摩托羅拉充電器)彈片是鐵材的,請高手們踊躍發言!!!!!
插脚近了会影响EMI,有时是严重的影响.不是磁耦合,是电场耦合
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richy
LV.4
10
2005-01-05 11:31
我也有碰到这样EMI怪事,同一个电源在三家实验室测出来的结果相差10多个DB,搞的我现在都不知道是我的错呢,还是实验室的错.
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ridgewang
LV.8
11
2005-01-05 11:40
试着上下,左右,前后调整一下电源在外壳中的位置,或许能解决问题.
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philips
LV.8
12
2005-01-05 12:37
@ridgewang
试着上下,左右,前后调整一下电源在外壳中的位置,或许能解决问题.
谢谢各位大侠的顶力相助!不知将弹片换成铜材的会不会好转?
我现在已叫测试公司把外壳打开让PCB离插头远点在测看看.有结果再告诉大家.
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philips
LV.8
13
2005-01-05 12:39
@cmg
插脚近了会影响EMI,有时是严重的影响.不是磁耦合,是电场耦合
兄弟,是否遇到过这样的问题?
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cmg
LV.9
14
2005-01-05 12:50
@philips
兄弟,是否遇到过这样的问题?
在PCB板下面放一个薄的单面PCB板,引线到初级地线.
0
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cmg
LV.9
15
2005-01-05 12:51
@richy
我也有碰到这样EMI怪事,同一个电源在三家实验室测出来的结果相差10多个DB,搞的我现在都不知道是我的错呢,还是实验室的错.
正常,不同实验室的理论最大差别是17dB.
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philips
LV.8
16
2005-01-05 13:08
@cmg
在PCB板下面放一个薄的单面PCB板,引线到初级地线.
由于上下距离太近,是不是要再加一层绝缘材料?
还有,不知将弹片换成铜的行不行?
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philips
LV.8
17
2005-01-05 15:34
@philips
谢谢各位大侠的顶力相助!不知将弹片换成铜材的会不会好转?我现在已叫测试公司把外壳打开让PCB离插头远点在测看看.有结果再告诉大家.
果然是这个原因,不知有什么简单的方法解决?
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cmg
LV.9
18
2005-01-05 16:00
@philips
由于上下距离太近,是不是要再加一层绝缘材料?还有,不知将弹片换成铜的行不行?
电场耦合,换成铜的没有作用.距离近了当然要加绝缘.
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richy
LV.4
19
2005-01-06 11:21
@cmg
正常,不同实验室的理论最大差别是17dB.
兄弟,我说的是传导,不是幅射.一般来说传导在不同的实验室只会相差2个DB而已.
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philips
LV.8
20
2005-01-06 12:30
@cmg
电场耦合,换成铜的没有作用.距离近了当然要加绝缘.
我说的是传导啊!
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deello
LV.2
21
2005-01-06 13:03
@philips
果然是这个原因,不知有什么简单的方法解决?
我也有過這樣的問題:不過我的電源無法在CASE中活動,我只好在電源上接了一塊銅箔然後接初級的地,將L,N隔離.
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philips
LV.8
22
2005-01-06 13:08
@deello
我也有過這樣的問題:不過我的電源無法在CASE中活動,我只好在電源上接了一塊銅箔然後接初級的地,將L,N隔離.
谢谢!会影响安规吗?
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deello
LV.2
23
2005-01-06 15:12
@philips
谢谢!会影响安规吗?
光銅箔的話會,你可以試試有一種銅箔上加了一層絕緣片的那種.
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cmg
LV.9
24
2005-01-06 15:21
@richy
兄弟,我说的是传导,不是幅射.一般来说传导在不同的实验室只会相差2个DB而已.
我知道是传导,不是我说的,是在一个资料上看的,这个资料是香港一个大学的EMI专家写的,很多大的电源厂都请他去做过演讲.当然,上面已经说了是理论值,一般不会有这么大的.
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cmg
LV.9
25
2005-01-06 15:29
@philips
我说的是传导啊!
我知道你说的是传导,传导的一个途径就是电场耦合,虽然较少遇到,但很不幸,叫你遇到了.具体的说,就是MOS漏级及其相连PCB铜薄和变压器对插脚形成电容,把传导干扰直接送过去,这时你改X电容,共模电感都没有.就向我上面说的方法,加单面PCB板,或小铜片也一样,下面已经有人说它用过这个方法是可以的.
  还有一个方法,降低初次级变比,当然以初级多发点热为代价.
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jackyluo
LV.4
26
2005-01-06 16:47
@cmg
我知道你说的是传导,传导的一个途径就是电场耦合,虽然较少遇到,但很不幸,叫你遇到了.具体的说,就是MOS漏级及其相连PCB铜薄和变压器对插脚形成电容,把传导干扰直接送过去,这时你改X电容,共模电感都没有.就向我上面说的方法,加单面PCB板,或小铜片也一样,下面已经有人说它用过这个方法是可以的.  还有一个方法,降低初次级变比,当然以初级多发点热为代价.
改变匝比,就改变了D所以就改变了源的频普分布,效果不一定好,对于手机充电器,它主要是电场,所以用铜片接地效果好
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老楊
LV.4
27
2005-01-06 17:14
加大點前濾波電感量
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philips
LV.8
28
2005-01-06 19:02
@deello
光銅箔的話會,你可以試試有一種銅箔上加了一層絕緣片的那種.
谢谢!那岂不是上下都要加绝缘片?
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philips
LV.8
29
2005-01-06 19:03
@老楊
加大點前濾波電感量
已试过,无效!
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小林
LV.5
30
2005-01-07 10:00
你在mosfet的上方接一塊銅箔,注意銅箔折的方向与幵關管的散熱片成90度,銅箔可与散熱片相連.銅箔的折方向能延伸到變壓器為好
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jackyluo
LV.4
31
2005-01-07 10:43
@philips
已试过,无效!
因为是电场耦合所以改变这些意义不大,如果是磁场耦合,就有意义
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