FAIRCHILD的FSFR2100没有人工厂在量产?
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@利芯科技~icbanks
至少我到现在还没有听说哪个客户对这个产品的评估板说效果不好的!LLC是个新的解决方案,我在想是否调试有问题呢?
去测一下吧,90V时满载效率不高,SRC已经有了,LLC已经不是什么新技术了,搞清楚再说,不要为了买东西就乱发言,同步整流才是未来的趋势,你先上堂课吧.
近年来随着电源技术的发展,同步整流技术正在向低电压、大电流输出的DC/DC变换器中迅速推广应用.DC/DC变换器的损耗主要由3部分组成:功率开关管的损耗,高频变压器的损耗,输出端整流管的损耗.在低电压、大电流输出的情况下,整流二极管的导通压降较高,输出端整流管的损耗尤为突出.快恢复二极管(FRD)或超快恢复二极管(SRD)可达1.0~1.2V,即使采用低压降的肖特基二极管(SBD),也会产生大约0.6V的压降,这就导致整流损耗增大,电源效率降低.举例说明,目前笔记本电脑普遍采用3.3V甚至1.8V或1.5V的供电电压,所消耗的电流可达20A.此时超快恢复二极管的整流损耗已接近甚至超过电源输出功率的50%.即使采用肖特基二极管,整流管上的损耗也会达到(18%~40%)PO,占电源总损耗的60%以上.因此,传统的二极管整流电路已无法满足实现低电压、大电流开关电源高效率及小体积的需要,成为制约DC/DC变换器提高效率的瓶颈.
同步整流是采用通态电阻极低的专用功率MOSFET,来取代整流二极管以降低整流损耗的一项新技术.它能大大提高DC/DC变换器的效率并且不存在由肖特基势垒电压而造成的死区电压.功率MOSFET属于电压控制型器件,它在导通时的伏安特性呈线性关系.用功率MOSFET做整流器时,要求栅极电压必须与被整流电压的相位保持同步才能完成整流功能,故称之为同步整流.
为满足高频、大容量同步整流电路的需要,近年来一些专用功率MOSFET不断问世,典型产品Philips公司生产的SI4800型功率MOSFET是采用TrenchMOSTM技术制成的,其通、断状态可用逻辑电平来控制,漏-源极通态电阻仅为0.0155Ω.IR公司生产的IRL3102(20V/61A)、IRL2203S(30V/116A)、IRL3803S(30V/100A)型功率MOSFET,它们的通态电阻分别为0.013Ω、0.007Ω和0.006Ω,在通过20A电流时的导通压降还不到0.3V.这些专用功率MOSFET的输入阻抗高,开关时间短,现已成为设计低电压、大电流功率变换器的首选整流器件.
近年来随着电源技术的发展,同步整流技术正在向低电压、大电流输出的DC/DC变换器中迅速推广应用.DC/DC变换器的损耗主要由3部分组成:功率开关管的损耗,高频变压器的损耗,输出端整流管的损耗.在低电压、大电流输出的情况下,整流二极管的导通压降较高,输出端整流管的损耗尤为突出.快恢复二极管(FRD)或超快恢复二极管(SRD)可达1.0~1.2V,即使采用低压降的肖特基二极管(SBD),也会产生大约0.6V的压降,这就导致整流损耗增大,电源效率降低.举例说明,目前笔记本电脑普遍采用3.3V甚至1.8V或1.5V的供电电压,所消耗的电流可达20A.此时超快恢复二极管的整流损耗已接近甚至超过电源输出功率的50%.即使采用肖特基二极管,整流管上的损耗也会达到(18%~40%)PO,占电源总损耗的60%以上.因此,传统的二极管整流电路已无法满足实现低电压、大电流开关电源高效率及小体积的需要,成为制约DC/DC变换器提高效率的瓶颈.
同步整流是采用通态电阻极低的专用功率MOSFET,来取代整流二极管以降低整流损耗的一项新技术.它能大大提高DC/DC变换器的效率并且不存在由肖特基势垒电压而造成的死区电压.功率MOSFET属于电压控制型器件,它在导通时的伏安特性呈线性关系.用功率MOSFET做整流器时,要求栅极电压必须与被整流电压的相位保持同步才能完成整流功能,故称之为同步整流.
为满足高频、大容量同步整流电路的需要,近年来一些专用功率MOSFET不断问世,典型产品Philips公司生产的SI4800型功率MOSFET是采用TrenchMOSTM技术制成的,其通、断状态可用逻辑电平来控制,漏-源极通态电阻仅为0.0155Ω.IR公司生产的IRL3102(20V/61A)、IRL2203S(30V/116A)、IRL3803S(30V/100A)型功率MOSFET,它们的通态电阻分别为0.013Ω、0.007Ω和0.006Ω,在通过20A电流时的导通压降还不到0.3V.这些专用功率MOSFET的输入阻抗高,开关时间短,现已成为设计低电压、大电流功率变换器的首选整流器件.
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@greenpower1
去测一下吧,90V时满载效率不高,SRC已经有了,LLC已经不是什么新技术了,搞清楚再说,不要为了买东西就乱发言,同步整流才是未来的趋势,你先上堂课吧.近年来随着电源技术的发展,同步整流技术正在向低电压、大电流输出的DC/DC变换器中迅速推广应用.DC/DC变换器的损耗主要由3部分组成:功率开关管的损耗,高频变压器的损耗,输出端整流管的损耗.在低电压、大电流输出的情况下,整流二极管的导通压降较高,输出端整流管的损耗尤为突出.快恢复二极管(FRD)或超快恢复二极管(SRD)可达1.0~1.2V,即使采用低压降的肖特基二极管(SBD),也会产生大约0.6V的压降,这就导致整流损耗增大,电源效率降低.举例说明,目前笔记本电脑普遍采用3.3V甚至1.8V或1.5V的供电电压,所消耗的电流可达20A.此时超快恢复二极管的整流损耗已接近甚至超过电源输出功率的50%.即使采用肖特基二极管,整流管上的损耗也会达到(18%~40%)PO,占电源总损耗的60%以上.因此,传统的二极管整流电路已无法满足实现低电压、大电流开关电源高效率及小体积的需要,成为制约DC/DC变换器提高效率的瓶颈.同步整流是采用通态电阻极低的专用功率MOSFET,来取代整流二极管以降低整流损耗的一项新技术.它能大大提高DC/DC变换器的效率并且不存在由肖特基势垒电压而造成的死区电压.功率MOSFET属于电压控制型器件,它在导通时的伏安特性呈线性关系.用功率MOSFET做整流器时,要求栅极电压必须与被整流电压的相位保持同步才能完成整流功能,故称之为同步整流.为满足高频、大容量同步整流电路的需要,近年来一些专用功率MOSFET不断问世,典型产品Philips公司生产的SI4800型功率MOSFET是采用TrenchMOSTM技术制成的,其通、断状态可用逻辑电平来控制,漏-源极通态电阻仅为0.0155Ω.IR公司生产的IRL3102(20V/61A)、IRL2203S(30V/116A)、IRL3803S(30V/100A)型功率MOSFET,它们的通态电阻分别为0.013Ω、0.007Ω和0.006Ω,在通过20A电流时的导通压降还不到0.3V.这些专用功率MOSFET的输入阻抗高,开关时间短,现已成为设计低电压、大电流功率变换器的首选整流器件.
嗯!不错,看起来很专业,不过这些分析理论好象我在另一处看过,是转载的吧!不管怎样都好啦!总是值得学习的!
我们在讨论的是FSFR2100,既然您如此专业,不妨请提供对本产品实际评测数据、结论及与同类产品的总性价比,以充分的实践数据和给我们上堂课吧!
我希望有你的分析和评测,对我们更多想用和准备用及正在用的人们以更大帮助!
太有才了!就靠你了哥们!
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太有才了!就靠你了哥们!
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@greenpower1
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众所周知,同步整流技术是解决低压大电流整流效率的关键技术,而其核心又是如何实现同步整流控制,本人孤陋寡闻,至今还没有找到适于象FSFR2100,L6599之类的谐振半桥软开关付边同步整流控制芯片,请专家们提供相应芯片资料.
邮箱:zldong@pbicn.com
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用CM6807+CM6900吧,CM6900为全球首款可以在谐振半桥下可以实现同步整流的芯片.很稳定的,原厂提供很多典型方案的设计供参考,台资的大厂,都已经采用了,感兴趣,联系Email:gaofeng922@126.com,提供资料和典型应用设计.相信虹冠的CM6800大家都知道吧,这款是针对液晶电视推出的,效果反应很好.欢迎大家来电咨询,13420907762,MSN:gaofeng@osea.com.cn
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@gaofengkgb
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