IGBT(绝缘栅双极晶体管)作为新型电力半导体场控自关断器件,集功率MOSFET的高速性能与双极性器件的低电阻于一体,具有输入阻抗高,电压控制功耗低,控制电路简单,耐高压,承受电流大等特性,在各种电力变换中获得极广泛的应用.与此同时,各大半导体生产厂商不断开发IGBT的高耐压、大电流、高速、低饱和压降、高可*、低成本技术,主要采用1um以下制作工艺,研制开发取得一些新进展.
1、低功率IGBT
IGBT应用范围一般都在600V、1KA、1KHz以上区域,为满足家电行业的发展需求,摩托罗拉、ST半导体、三菱等公司推出低功率IGBT产品,实用于家电行业的微波炉、洗衣机、电磁灶、电子整流器、照相机等产品的应用.
2、U-IGBT
U(沟槽结构)--TGBT是在管芯上刻槽,芯片元胞内部形成沟槽式栅极.采用沟道结构后,可进一步缩小元胞尺寸,减少沟道电阻,提高电流密度,制造相同额定电流而芯片尺寸最少的产品.现有多家公司生产各种U—IGBT产品,适用低电压驱动、表面贴装的要求.
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FZ900R16KF1 FZ1800R12KF4 FZ200R33KF2 FZ600R12KF4
FZ400R12KF4 FZ600R16KF4 FZ400R16KF4 FZ800R12KF4
FZ400R33KF1 FZ800R17KF6B2 FZ400R33KF2
2U(双管):FF150R12KE3G、FF200R12KE3、FF300R12KE3、FF400R12KE3、FF400R16KF4、FF400R33KF1、FF600R12KF4、FF600R16KF4、FF800R12KF4、FF800R17KF6B2.
斩波专用IGBT:FD400R12KF4、FD400R16KF4、FD400R17KF6B2、FD400R33KF1、FD600R12KF4、FD600R17KF6B2、FD600R17KF6、FD800R17KF6B2、FD800R33KF1.
四单元IGBT:F4-300R12KF4、F4-400R12KF4、F4-400R12KS4-B2.
2,可控硅:TT18N12141618KOF、TT25N12141618KOF、TT36N12141618KOF、TT46N121418KOF、TT56N12141618KOF、TT66N12141618KOF、TT75N12141618KOF、TT95N12141618KOF、TT105N12141618KOF、TT121N12141618KOF、TT122N12141618KOF、TT131N12141618KOF、TT142N12141618KOF、TT162N12141618KOF、TT170N12141618KOFTT210N12141618KOF、TT250N12141618KOF、TT330N12141618KOF、TT425N12141618KOF、TT500N12141618KOF、TT570N12141618KOF、TTB6C110N1216KOF、TTB6C135N1216KOF、TTB6C165N1216KOF、TTB6C95N1216KOF、TTW3C85N1216KOF、TTW3C115N1216KOF、TTW3C145N1216KOF、TZ240N1216KOF、TZ310N1216KOF、TZ425N1216KOF、TZ500N1216KOF.
