• 回复
  • 收藏
  • 点赞
  • 分享
  • 发新帖

各位大佬,这个电流检测是怎样实现的,感谢

VDD_STWBC电压5V,VRSENSE是待检测的电压,Isense是输出的信息

全部回复(12)
正序查看
倒序查看
lysgdjp
LV.3
2
2018-06-15 10:38
?
0
回复
hylylx
LV.9
3
2018-06-15 11:11
我只想知道这图谁画的。
0
回复
fuwenhe
LV.1
4
2018-06-16 13:31
镜像电流源
0
回复
jrc961
LV.3
5
2018-06-16 14:45
@fuwenhe
镜像电流源
4楼说的是,就是镜像电流源,把左边那个三极管正过来,就容易看了。
镜像电流源
0
回复
2018-06-16 21:34
@jrc961
4楼说的是,就是镜像电流源,把左边那个三极管正过来,就容易看了。镜像电流源
差分放大电路不知道楼主学的怎么样,这个就是了....
0
回复
Starpan1
LV.2
7
2018-06-19 16:04
@qinzutaim
差分放大电路不知道楼主学的怎么样,这个就是了....[图片]
差分放大电路都差不多忘了,不过我看了拓扑,还是有点区别的,特别是射极上串联10K电阻,另外不太懂怎么把射极上的VRSENSE电压放大到集电极的Isense
0
回复
Starpan1
LV.2
8
2018-06-19 16:49
@jrc961
4楼说的是,就是镜像电流源,把左边那个三极管正过来,就容易看了。镜像电流源
感觉和镜像电流源射极不一样,一个是串联着10K到GND,一个相当于接信号电压吧
0
回复
2018-06-19 23:03
@Starpan1
差分放大电路都差不多忘了,不过我看了拓扑,还是有点区别的,特别是射极上串联10K电阻,另外不太懂怎么把射极上的VRSENSE电压放大到集电极的Isense
有种放大电路形式叫共基放大电路,
0
回复
Starpan1
LV.2
10
2018-06-20 10:15
@qinzutaim
有种放大电路形式叫共基放大电路,[图片]
有道理,请教下,这个线路图有两个共基极三极管和电阻电容搭配,计算的思路是怎样的
0
回复
2018-06-20 12:43

都用猜的.....有時畫電路要簡潔, 按照順序才好分析, 工程師對於這一點應該要有能力.....

修正後電路圖:

可以看出, Q5在於做VBE箝位, 先忽略R57, R22沒有電流所以沒電位, 則主晶體VBE= (5*10K/10K+1M)+VBE_Q5 = 0.649V, 其中VBE_Q5設為0.6V ,

則當R22跨壓超過0.049V , 主晶體會截止, ISENSE與IDEMOD 輸出HIGH.........

當R57連接後, VBE會多一個分壓路徑為R57+VSET , VSET為主晶體飽和電壓, 所以原VBE電壓再往下修.....

當主晶體進入線性截止區時, C29會透過R9對C29充電使R58電壓略高, 這算延遲, 也就是瞬間頂到電流時, 會有一段延遲時間主晶體才完全截止....

所以R22應該約30幾mV後進入過流, 限流點不超過2A............

2
回复
Starpan1
LV.2
12
2018-06-20 17:13
@juntion
都用猜的.....有時畫電路要簡潔,按照順序才好分析,工程師對於這一點應該要有能力.....修正後電路圖:[图片]可以看出,Q5在於做VBE箝位,先忽略R57,R22沒有電流所以沒電位,則主晶體VBE=(5*10K/10K+1M)+VBE_Q5=0.649V,其中VBE_Q5設為0.6V,則當R22跨壓超過0.049V,主晶體會截止,ISENSE與IDEMOD輸出HIGH.........當R57連接後,VBE會多一個分壓路徑為R57+VSET,VSET為主晶體飽和電壓,所以原VBE電壓再往下修.....當主晶體進入線性截止區時,C29會透過R9對C29充電使R58電壓略高,這算延遲,也就是瞬間頂到電流時,會有一段延遲時間主晶體才完全截止....所以R22應該約30幾mV後進入過流,限流點不超過2A............
明白了,分析的很清晰明了,非常感谢
0
回复
wyz2520
LV.1
13
2018-11-19 10:21
@juntion
都用猜的.....有時畫電路要簡潔,按照順序才好分析,工程師對於這一點應該要有能力.....修正後電路圖:[图片]可以看出,Q5在於做VBE箝位,先忽略R57,R22沒有電流所以沒電位,則主晶體VBE=(5*10K/10K+1M)+VBE_Q5=0.649V,其中VBE_Q5設為0.6V,則當R22跨壓超過0.049V,主晶體會截止,ISENSE與IDEMOD輸出HIGH.........當R57連接後,VBE會多一個分壓路徑為R57+VSET,VSET為主晶體飽和電壓,所以原VBE電壓再往下修.....當主晶體進入線性截止區時,C29會透過R9對C29充電使R58電壓略高,這算延遲,也就是瞬間頂到電流時,會有一段延遲時間主晶體才完全截止....所以R22應該約30幾mV後進入過流,限流點不超過2A............
明白了
0
回复