VDD_STWBC电压5V,VRSENSE是待检测的电压,Isense是输出的信息
各位大佬,这个电流检测是怎样实现的,感谢
全部回复(12)
正序查看
倒序查看
现在还没有回复呢,说说你的想法
都用猜的.....有時畫電路要簡潔, 按照順序才好分析, 工程師對於這一點應該要有能力.....
修正後電路圖:
可以看出, Q5在於做VBE箝位, 先忽略R57, R22沒有電流所以沒電位, 則主晶體VBE= (5*10K/10K+1M)+VBE_Q5 = 0.649V, 其中VBE_Q5設為0.6V ,
則當R22跨壓超過0.049V , 主晶體會截止, ISENSE與IDEMOD 輸出HIGH.........
當R57連接後, VBE會多一個分壓路徑為R57+VSET , VSET為主晶體飽和電壓, 所以原VBE電壓再往下修.....
當主晶體進入線性截止區時, C29會透過R9對C29充電使R58電壓略高, 這算延遲, 也就是瞬間頂到電流時, 會有一段延遲時間主晶體才完全截止....
所以R22應該約30幾mV後進入過流, 限流點不超過2A............
2
回复
提示
@juntion
都用猜的.....有時畫電路要簡潔,按照順序才好分析,工程師對於這一點應該要有能力.....修正後電路圖:[图片]可以看出,Q5在於做VBE箝位,先忽略R57,R22沒有電流所以沒電位,則主晶體VBE=(5*10K/10K+1M)+VBE_Q5=0.649V,其中VBE_Q5設為0.6V,則當R22跨壓超過0.049V,主晶體會截止,ISENSE與IDEMOD輸出HIGH.........當R57連接後,VBE會多一個分壓路徑為R57+VSET,VSET為主晶體飽和電壓,所以原VBE電壓再往下修.....當主晶體進入線性截止區時,C29會透過R9對C29充電使R58電壓略高,這算延遲,也就是瞬間頂到電流時,會有一段延遲時間主晶體才完全截止....所以R22應該約30幾mV後進入過流,限流點不超過2A............
明白了,分析的很清晰明了,非常感谢
0
回复
提示
@juntion
都用猜的.....有時畫電路要簡潔,按照順序才好分析,工程師對於這一點應該要有能力.....修正後電路圖:[图片]可以看出,Q5在於做VBE箝位,先忽略R57,R22沒有電流所以沒電位,則主晶體VBE=(5*10K/10K+1M)+VBE_Q5=0.649V,其中VBE_Q5設為0.6V,則當R22跨壓超過0.049V,主晶體會截止,ISENSE與IDEMOD輸出HIGH.........當R57連接後,VBE會多一個分壓路徑為R57+VSET,VSET為主晶體飽和電壓,所以原VBE電壓再往下修.....當主晶體進入線性截止區時,C29會透過R9對C29充電使R58電壓略高,這算延遲,也就是瞬間頂到電流時,會有一段延遲時間主晶體才完全截止....所以R22應該約30幾mV後進入過流,限流點不超過2A............
明白了
0
回复
提示