這是有動態穩壓, U4負端提供依個參考電壓, 正端由+5V提供分壓, 輸出推動一顆mos管, 當5V超壓時, MOS管會導通把+5V往下拉, 相對也把+10V往下拉, 所以OP與MOS呈現一個快關快斷
的脈波型態......
這種電路是用圈比方式輸出電壓, 所以上下橋除了一段小小的死區以外, 週期幾乎全開, 所以當輸入電壓升高, 理論輸出也會升高......
如圖:
這是你那塊供電迴路, 連接於GND與COM間, R5看似限流電阻, MOS動作為: 當Q4不導通時,R6提供偏壓給MOS_G, 但是D-S不能全通, 而是箝位在Vth點, 因為一但全通則D-S沒電位就關掉了
所以會箝位在VTH點, 此時COM 電位會比GND高出一個VTH........... 輸出抽載時, 流過R5與R8電流增加, 其中,R8跨於MOS_S端, 所以當電流使R8電壓增高時, 那麼COM 點電壓會等於VTH+(I*R8)
其中VR8最後會被D8與D9給箝位住.......
當輸入電壓增加, 會促使輸出電壓也增加, 但是由於輸出動態穩壓, 所以MOS切換週期會更寬, 相對效率就差.....
這種電路是設計不良還是怎地, 功率一大那麼MOS管, R5 , R8 應該燙的利害, 因為是操作在半線性區, 除非畫錯........