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MOSFET电流有效值如何计算？

输入400V，输出100V/20A的移相全桥DC-DC，假设其效率为95%，则原边输入直流平均值约5.25A，那么对于这个全桥MOSFET，每个管子流过的电流有效值Irms是多少？峰值Ip又是多少？其通态功耗是否可以认为是Irms*Irms*Rdson？
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hylylx
LV.9
2
2018-10-11 09:25
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CYX740111
LV.5
3
2018-10-17 21:58
假设每个MOS的占空比是D，Ip=5.25A/(2D)，Irms=Ip*√D ，通态损耗=Irms2*Rds  。
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xinge7610
LV.3
4
2018-10-17 22:40
不可以这样算.
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hxgyhdmb
LV.3
5
2018-10-18 07:26

频率是100K，死区时间设置为0.3us，实测满载时候基本占空比（移相角）打到基本最大量程，没多少余量了。假设此时占空比为D=0.45，那么按照Ip=5.25A/(2D)=5.83A，Irms=Ip*√D=3.9A，所用的管子Rdson为0.1Ω，则通态损耗为Ploss=1.5W。不过实际测试发现，这个峰值电流Ip远远不止计算出来的5.83A，差不多9A之高了，这是怎么回事呢？

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wenhao1
LV.2
6
2018-10-18 07:54
@hxgyhdmb
频率是100K，死区时间设置为0.3us，实测满载时候基本占空比（移相角）打到基本最大量程，没多少余量了。假设此时占空比为D=0.45，那么按照Ip=5.25A/(2D)=5.83A，Irms=Ip*√D=3.9A，所用的管子Rdson为0.1Ω，则通态损耗为Ploss=1.5W。不过实际测试发现，这个峰值电流Ip远远不止计算出来的5.83A，差不多9A之高了，这是怎么回事呢？
变压器饱和了没
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CYX740111
LV.5
7
2018-10-18 22:34
把电感电流反射到原边（加入效率的考虑），再加上励磁电流，便是MOS的Ipk。
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